SGT080R70ILB

STMicroelectronics
511-SGT080R70ILB
SGT080R70ILB

Mfr.:

Paglalarawan:
GaN FETs 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor

Lifecycle:
Bagong Produkto:
Bago mula sa manufacturer na ito.
ECAD Model:
I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Availability

Stock:
0

Mabibili mo pa rin ang produktong ito para sa backorder.

Inoorder:
1,000
Inaasahan 6/8/2026
Minimum: 1   Mga Multiple: 1
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:
Packaging:
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 3000)

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
Cut Tape / MouseReel™
₱288.84 ₱288.84
₱203.00 ₱2,030.00
₱175.16 ₱17,516.00
₱169.94 ₱84,970.00
₱165.30 ₱165,300.00
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 3000)
₱159.50 ₱478,500.00
24,000 Quote
† ₱350.00 Idaragdag at kakalkulahin sa iyong shopping cart ang bayarin sa MouseReel™ Hindi makakansela at maisasauli ang mga order na MouseReel™

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
STMicroelectronics
Kategorya ng Produkto: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
PowerFLAT-8
700 V
29 A
80 mOhms
- 6 V, + 7 V
2.5 V
6.2 nC
- 55 C
+ 150 C
188 W
Enhancement
Brand: STMicroelectronics
Kumpigurasyon: Single
Tagal ng Pagbagsak: 4 ns
Maselan sa Moisture: Yes
Packaging: Reel
Packaging: Cut Tape
Packaging: MouseReel
Produkto: FET
Uri ng Produkto: GaN FETs
Tagal ng Pagtaas: 4 ns
Series: SGT
Dami ng Pack ng Pabrika: 3000
Subcategory: Transistors
Teknolohiya: GaN
Uri: PowerGaN Transistor
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off: 5 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on: 3 ns
Timbang ng Unit: 154 mg
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN Transistor

STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN Transistor is an enhancement-mode transistor designed for high-efficiency power conversion applications. Featuring a drain-source voltage rating of 700V and a typical on-resistance of just 80mΩ, the STMicroelectronics SGT080R70ILB leverages the superior switching performance of Gallium Nitride (GaN) technology to minimize conduction and switching losses. Housed in a compact PowerFLAT 8x8 HV package, the transistor supports high-frequency operation and is ideal for use in resonant converters, power factor correction (PFC) stages, and DC-DC converters. A low gate charge and output capacitance enable faster transitions and reduced energy dissipation, making the SGT080R70ILB well-suited for demanding applications in consumer electronics, industrial systems, and data centers.