Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

NTMFS3D2N10MDT1G

Name: onsemi NTMFS3D2N10MDT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS3D2N10MDT1G
Price: 244.18 PHP
Availability: OutOfStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

863-NTMFS3D2N10MDT1G

Mfr. #:

NTMFS3D2N10MDT1G

Mfr.:

onsemi

Paglalarawan:

MOSFETs PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET HE SO8FL

Datasheet:

NTMFS3D2N10MDT1G Datasheet

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa onsemi NTMFS3D2N10MDT1G

Availability

Stock:: 0

Mabibili mo pa rin ang produktong ito para sa backorder.

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Inoorder:: 2,741

Inaasahan 3/13/2026
Lead-Time ng Pabrika:: 33

(na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Matagal na lead time na iniulat sa produktong ito.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Packaging:

Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 1500)

Cut Tape

MouseReel™ (+₱350.00)

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	₱244.18	₱244.18
	₱162.40	₱1,624.00
	₱136.30	₱13,630.00
	₱107.30	₱53,650.00
	₱89.90	₱89,900.00
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 1500)
	₱89.90	₱134,850.00

† ₱350.00 Idaragdag at kakalkulahin sa iyong shopping cart ang bayarin sa MouseReel™ Hindi makakansela at maisasauli ang mga order na MouseReel™ ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	onsemi
Kategorya ng Produkto:	Mga MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Teknolohiya:	Si
Isitilo ng Mounting:	SMD/SMT
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	100 V
Id - Continuous Drain Current:	142 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	3.5 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	4 V
Qg - Gate Charge:	48 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	155 W
Channel Mode:	Enhancement
Pangalang pangkalakal:	PowerTrench
Packaging:	Reel
Packaging:	Cut Tape
Packaging:	MouseReel
Brand:	onsemi
Uri ng Produkto:	MOSFETs
Series:	NTMFS3D2N10MD
Dami ng Pack ng Pabrika:	1500
Subcategory:	Transistors

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

NTMFS3D2N10MDT1G Datasheet

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTMFS3D2N10MD N-Channel MOSFET

onsemi NTMFS3D2N10MD N-Channel MOSFET is designed using an advanced PowerTrench^® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize the on-state resistance R_DS(on) to minimize conduction losses and yet maintain superior switching performance. The NTMFS3D2N10MD MOSFET features low Q_G and capacitance to minimize driver losses, low Q_RR, soft recovery body diode, and low Q_OSS to improve light-load efficiency. Typical applications include primary switches in isolated DC-DC converters, AC-DC adapters, synchronous rectification in DC-DC and AC-DC, BLDC motors, load switches, and solar inverters.

Teknolohiya ng PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.