EFUSE-800V40ABI

Vishay
71-EFUSE-800V40ABI
EFUSE-800V40ABI

Mfr.:

Paglalarawan:
Power Management IC Development Tools EFUSE-800V40ABI REF

Lifecycle:
Bagong Produkto:
Bago mula sa manufacturer na ito.

May Stock: 3

Stock:
3 Maaaring Ipadala Agad
Lead-Time ng Pabrika:
16 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.
Minimum: 1   Mga Multiple: 1
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:
LIBRENG Ipapadala ang Produktong Ito

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
₱6,999.58 ₱6,999.58

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
Vishay
Kategorya ng Produkto: Mga Tool sa Pag-develop ng Power Management IC
Reference Boards
eFuse
Brand: Vishay
Para Magamit sa: Circuit Protection
Maximum na Operating Temperature: + 125 C
Minimum na Operating Temperature: - 40 C
Packaging: Bulk
Uri ng Produkto: Power Management IC Development Tools
Subcategory: Development Tools
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

Mga Kodigo sa Pagsunod
USHTS:
8536308000
JPHTS:
853630000
KRHTS:
8536300000
TARIC:
8473302000
ECCN:
EAR99
Mga Klasipikasyon ng Pinagmulan
Bansang Pinagmulan:
United States
Bansang Pinagmulan ng Pag-assemble:
Hindi available
Bansa ng Diffusion:
Hindi available
Ang bansa ay maaaring magbago sa oras ng pagpapadala.

EFUSE-800V40ABI eFuse Reference Design

Vishay EFUSE-800V40ABI Bidirectional eFuse Reference Design handles voltages up to 950V and a 40A current rating and is fully equipped with all the required feedback signals. This platform enhances overall vehicle safety by protecting against voltage spikes, overcurrent, and rising temperatures. Features include a low TCR shunt for precise current measurement, low tracking error voltage divider, and a robust I/O port providing ESD protection and feewheel capabilities. Vishay EFUSE-800V40ABI Bidirectional eFuse Reference Design is based on Vishay SiC MOSFETs.