STP80N450K6

STMicroelectronics
511-STP80N450K6
STP80N450K6

Mfr.:

Paglalarawan:
MOSFETs N-channel 800 V, 400 mOhm typ., 8 A MDmesh K6 Power MOSFET

ECAD Model:
I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

May Stock: 229

Stock:
229 Maaaring Ipadala Agad
Lead-Time ng Pabrika:
13 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.
Ang mga dami na higit pa sa 229 ay sasailalim sa minimum na mga kinakailangan sa pag-order.
Minimum: 1   Mga Multiple: 1
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
₱256.36 ₱256.36
₱138.04 ₱1,380.40
₱124.70 ₱12,470.00
₱102.66 ₱51,330.00
₱94.54 ₱94,540.00
₱92.22 ₱230,550.00

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
STMicroelectronics
Kategorya ng Produkto: Mga MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
10 A
450 mOhms
Enhancement
Tube
Brand: STMicroelectronics
Uri ng Produkto: MOSFETs
Dami ng Pack ng Pabrika: 50
Subcategory: Transistors
Timbang ng Unit: 2 g
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STP80N450K6 800V N-Channel Power MOSFET

STMicroelectronics STP80N450K6 800V N-Channel Power MOSFET is a very high voltage N-channel Power MOSFET designed using the ultimate MDmesh K6 technology. This technology is based on 20 years of STMicroelectronics experience in super junction technology. The result is the best-in-class on-resistance per area and gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested. These power MOSFETs feature 800V minimum drain-source breakdown voltage, ±30V gate-source voltage, and -55°C to 150°C operating junction temperature range. The MDmesh K6 Power MOSFETs also feature 5V/ns peak diode recovery voltage slope, 100A/µs peak diode recovery current slope, and 120V/ns MOSFET dv/dt ruggedness. Typical applications include notebook and AIO, flyback converters, adapters for tablets, and LED lighting.