Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

CGHV31500F1

Name: MACOM CGHV31500F1
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV31500F1
Price: 74436.88 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

941-CGHV31500F1

Mfr. #:

CGHV31500F1

Mfr.:

MACOM

Paglalarawan:

GaN FETs 500W, GaN HEMT, 50V, 2.7-3.1GHz,Long-pulse, Flange

Datasheet:

CGHV31500F1 Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa MACOM CGHV31500F1

Alerto sa Pagpapadala:

Maaaring mangailangan ng karagdagang dokumentasyon ang produktong ito para ma-export sa United States.

May Stock: 25

Stock:: 25 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.

Ang mga dami na higit pa sa 25 ay sasailalim sa minimum na mga kinakailangan sa pag-order.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

LIBRENG Ipapadala ang Produktong Ito

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱74,436.88	₱74,436.88

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	MACOM
Kategorya ng Produkto:	GaN FETs
Mga Paghihigpit sa Pagpapadala:	Maaaring mangailangan ng karagdagang dokumentasyon ang produktong ito para ma-export sa United States.
RoHS:	N
Isitilo ng Mounting:	Screw Mount
Package / Case:	440226-2
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	150 V
Id - Continuous Drain Current:	500 mA
Minimum na Operating Temperature:	- 40 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 75 C
Pd - Power Dissipation:	418 W
Brand:	MACOM
Maximum na Drain Gate Voltage:	- 2.7 V
Maximum na Operating Frequency:	3.1 GHz
Minimum na Operating Frequency:	2.7 GHz
Output Power:	500 W
Packaging:	Tray
Uri ng Produkto:	GaN FETs
Dami ng Pack ng Pabrika:	1
Subcategory:	Transistors
Teknolohiya:	GaN
Uri ng Transistor:	GaN HEMT

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

CGHV31500F1 Datasheet (PDF)

PCN

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

Mga Kodigo sa Pagsunod

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.a.2

Mga Klasipikasyon ng Pinagmulan

Bansang Pinagmulan:: United States
Bansang Pinagmulan ng Pag-assemble:: Hindi available
Bansa ng Diffusion:: Hindi available

Ang bansa ay maaaring magbago sa oras ng pagpapadala.

CGHV31500F1 2.7GHz to 3.1GHz, 500W GaN HEMT

MACOM CGHV31500F1 2.7GHz to 3.1GHz, 500W GaN HEMT offers high efficiency and high gain designed explicitly for the 2.7GHz to 3.1GHz S-Band radar band. The gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) delivers an extended pulse capability to meet emerging radar architecture trends.