Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

QPD1006

Name: Qorvo QPD1006
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1006
Price: 67777.64 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

772-QPD1006

Mfr. #:

QPD1006

Mfr.:

Qorvo

Paglalarawan:

GaN FETs 450W 50V 1.2-1.4GHz GaN IMFET

Datasheet:

QPD1006 Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa Qorvo QPD1006

May Stock: 18

Stock:: 18 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 20 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ang mga dami na higit pa sa 18 ay sasailalim sa minimum na mga kinakailangan sa pag-order.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

LIBRENG Ipapadala ang Produktong Ito

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱67,777.64	₱67,777.64
	₱60,140.78	₱601,407.80

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	Qorvo
Kategorya ng Produkto:	GaN FETs
RoHS:
Isitilo ng Mounting:	SMD/SMT
Package / Case:	NI-50CW
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Id - Continuous Drain Current:	14 A
Minimum na Operating Temperature:	- 40 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 85 C
Pd - Power Dissipation:	445 W
Brand:	Qorvo
Kumpigurasyon:	Single
Kit sa Pag-develop:	QPD1006EVB3
Gain:	17.8 dB
Maximum na Drain Gate Voltage:	145 V
Maximum na Operating Frequency:	1.4 GHz
Minimum na Operating Frequency:	1.2 GHz
Maselan sa Moisture:	Yes
Output Power:	450 W
Packaging:	Waffle
Uri ng Produkto:	GaN FETs
Series:	QPD1006
Dami ng Pack ng Pabrika:	36
Subcategory:	Transistors
Teknolohiya:	GaN
Uri ng Transistor:	HEMT

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

QPD1006 Datasheet (PDF)

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

QPD1006 GaN RF IMFET Transistor

Qorvo QPD1006 GaN RF Internally Matched FET (IMFET) Transistor is a 450W GaN SiC high-electron mobility transistor (HEMT). The QPD1006 transistor operates from 1.2GHz to 1.4GHz frequency range and a 50V supply rail. This device can support pulsed and continuous wave (CW) operations. Qorvo QPD1006 transistor is GaN IMFET fully matched to 50Ω in an industry-standard air cavity package. This IMFET transistor is ideally suited for military and civilian radar.