Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

May Nakikitang Error?

AFV10700GSR5

Name: NXP AFV10700GSR5
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-AFV10700GSR5
Price: 46645.92 PHP
Availability: OutOfStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

771-AFV10700GSR5

Mfr. #:

AFV10700GSR5

Mfr.:

NXP Semiconductors

Paglalarawan:

RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 700 W Pulse over 960-1215 MHz, 52 V

Datasheet:

AFV10700GSR5 Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa NXP Semiconductors AFV10700GSR5

Availability

Stock:: Hindi Naka-stock

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 10 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 50 Mga Multiple: 50

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

LIBRENG Ipapadala ang Produktong Ito

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 50)
	₱46,645.92	₱2,332,296.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	NXP
Kategorya ng Produkto:	Mga RF MOSFET Transistor
RoHS:
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Teknolohiya:	Si
Id - Continuous Drain Current:	2.6 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	105 V
Frequency ng Pagpapatakbo:	1.03 GHz to 1.09 GHz
Gain:	19.2 dB
Output Power:	700 W
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 150 C
Isitilo ng Mounting:	SMD/SMT
Package / Case:	NI-780GS-4L
Packaging:	Reel
Brand:	NXP Semiconductors
Dami ng Channel:	2 Channel
Pd - Power Dissipation:	526 W
Uri ng Produkto:	RF MOSFET Transistors
Series:	AFV10700
Dami ng Pack ng Pabrika:	50
Subcategory:	MOSFETs
Uri:	RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source Voltage:	+ 10 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2.3 V
Mga Alias ng # ng Piyesa :	935362013178

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

AFV10700GSR5 Datasheet (PDF)

PCN

Declaration of Compliance - RoHS Declaration (PDF)

USHTS:: 8541290055
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

AFV10700H RF Power LDMOS Transistor

NXP Semiconductors AFV10700H RF Power LDMOS Transistor is designed for pulse applications operating at 1030MHz to 1090MHz. This LDMOS Transistor can also be used over the 960MHz to 1215MHz band at reduced power. This device is suitable for use in defense and commercial pulse applications with large duty cycles and long pulses, such as IFF, secondary surveillance radars, ADS-B transponders, DME, and other complex pulse chains.