Pesos Incoterms:FCA (Punto ng Shipping) Kinokolekta ang mga bayarin sa duty, customs at buwis sa oras ng paghahatid. Libreng shipping sa karamihan ng mga order na higit sa ₱2,000 (PHP)
Mga US Dollar Incoterms:FCA (Punto ng Shipping) Kinokolekta ang mga bayarin sa duty, customs at buwis sa oras ng paghahatid. Libreng shipping sa karamihan ng mga order na higit sa $50 (USD)
Hindi kayang magkaroon ng link sa oras na ito. Pakisubukan muli. Pakisubukan muli.
TO-220ACG SiC Schottky Barrier Diodes
ROHM Semiconductor TO-220ACG Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) feature a reverse voltage range of 650V to 1200V and a continuous reverse current range of 1.2µA to 20.0µA. SiC technology enables these devices to maintain a low capacitive charge (QC), reducing switching loss while enabling high-speed switching operation. In addition, unlike Si-based fast-recovery diodes, where the reverse recovery time increases along with temperature, SiC devices maintain constant characteristics, resulting in better performance.