GT20N135SRA,S1E

Name: Toshiba GT20N135SRA,S1E
Brand: Toshiba
SKU: 757-GT20N135SRA,S1E
Price: 223.3 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

757-GT20N135SRA,S1E

Mfr. #:

GT20N135SRA,S1E

Mfr.:

Toshiba

Paglalarawan:

IGBTs DISCRET IGBT TRANSTR Vces=1350V Ic=40A

Datasheet:

GT20N135SRA,S1E Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa Toshiba GT20N135SRA,S1E

May Stock: 57

Stock:: 57 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 24 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱223.30	₱223.30
	₱152.54	₱1,525.40
	₱127.60	₱15,312.00
	₱124.12	₱63,301.20
	₱120.64	₱123,052.80
	₱116.58	₱293,781.60

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	Toshiba
Kategorya ng Produkto:	Mga IGBT
RoHS:
Teknolohiya:	Si
Package / Case:	TO-247-3
Isitilo ng Mounting:	Through Hole
Kumpigurasyon:	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	1.35 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage:	2.4 V
Maximum na Gate Emitter Voltage:	- 25 V, 25 V
Tuloy-tuloy na Collector Current sa 25 C:	40 A
Pd - Power Dissipation:	312 W
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Packaging:	Tube
Brand:	Toshiba
Gate-Emitter Leakage Current:	100 nA
Uri ng Produkto:	IGBT Transistors
Dami ng Pack ng Pabrika:	30
Subcategory:	IGBTs
Timbang ng Unit:	6.150 mg

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

GT20N135SRA,S1E Datasheet (PDF)

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

GT20N135SRA Silicon N-Channel IGBT

Toshiba GT20N135SRA Silicon N-Channel IGBT is a 6.5th generation IGBT and consists of a Freewheeling Diode (FWD) monolithically integrated with an IGBT chip. This IGBT features a low saturation voltage of 1.60V and operates at a maximum of 175°C high junction temperature and 0.25µs of high-speed switching. The GT20N135SRA Silicon N-Channel IGBT is ideal for voltage-resonant inverter switching, soft switching, induction cooktops, and home appliance applications.