W957D8MFYA5I TR

Winbond
454-W957D8MFYA5ITR
W957D8MFYA5I TR

Mfr.:

Paglalarawan:
DRAM 128Mb HyperRAM x8, 200MHz, Ind temp, 1.8V, T&R

Lifecycle:
I-verify ang Status sa Pabrika:
Hindi maliwanag ang impormasyon ng lifecycle. Kumuha ng quote para ma-verify ang availability ng numero ng piyesa na ito mula sa manufacturer.
ECAD Model:
I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

May Stock: 1,945

Stock:
1,945 Maaaring Ipadala Agad
Lead-Time ng Pabrika:
53 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.
Ang mga dami na higit pa sa 1945 ay sasailalim sa minimum na mga kinakailangan sa pag-order.
Matagal na lead time na iniulat sa produktong ito.
Minimum: 1   Mga Multiple: 1   Maximum: 100
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
₱455.18 ₱455.18
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 2000)
₱455.18 ₱910,360.00

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
Winbond
Kategorya ng Produkto: DRAM
RoHS:  
HyperRAM
128 Mbit
8 bit
200 MHz
TFBGA-24
16 M x 8
1.7 V
2 V
- 40 C
+ 85 C
Reel
Cut Tape
Brand: Winbond
Maselan sa Moisture: Yes
Isitilo ng Mounting: SMD/SMT
Uri ng Produkto: DRAM
Dami ng Pack ng Pabrika: 2000
Subcategory: Memory & Data Storage
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

Mga Kodigo sa Pagsunod
CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320002
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99
Mga Klasipikasyon ng Pinagmulan
Bansang Pinagmulan:
Taiwan
Bansang Pinagmulan ng Pag-assemble:
Hindi available
Bansa ng Diffusion:
Hindi available
Ang bansa ay maaaring magbago sa oras ng pagpapadala.

Low Power HYPERRAM®

Winbond Low Power HYPERRAMs® are mobile DRAM with a high-speed SDRAM device internally configured as an 8-bank memory and uses a Double Data Rate (DDR) architecture on the Command/Address (CA) bus. This HYPERRAM features low pin count, low power consumption, and easy control to improve the performance of end devices. These IoT edge devices and human-machine interface devices require functionality in size, power consumption, and performance. These HYPERRAM memory devices provide technical solutions and address the rapid rise of IoT edge devices and human-machine interface devices. These HYPERRAMs offer 45mW power at 1.8V in hybrid sleep mode, significantly different from the standby mode of SDRAM. The HYPERRAM supports the HyperBus interface and is a solution to address the rapid rise of automotive electronics, industrial 4.0, and smart home applications.