TGF2929 GaN RF Power Transistors

Qorvo TGF2929 GaN RF Power Transistors are discrete GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) HEMTs (High-Electron Mobility Transistor) that operate from DC to 3.5GHz. They are constructed with the QGaN25HV process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.

Walang Nahanap na Resulta.
Subukang baguhin ang termino ng paghahanap mo sa ibaba o bumisita sa aming Help Center.
Mga Mungkahi sa Paghahanap
  • Tingnan ang spelling ng numero ng piyesa o mga keyword
  • Gumamit ng mas kaunti o iba't ibang keyword
  • Maghanap ng 1 numero ng piyesa sa bawat pagkakataon
  • Gumamit ng 1 filter sa bawat pagkakataon
Mga Produkto at Manufacturer
Mga Karagdagang Tanong?