CDM22011-600LRFP SL PBFREE

Central Semiconductor
610-CDM22011600LRFPS
CDM22011-600LRFP SL PBFREE

Mfr.:

Paglalarawan:
MOSFETs N-Ch 11A PFC FET 600V 4.45nC 0.3Ohm

Lifecycle:
Espesyal na Order sa Pabrika:
Kumuha ng quote para ma-verify ang kasalukuyang presyo, lead-time at mga kinakailangan ng manufacturer sa pag-order.
ECAD Model:
I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

May Stock: 353

Stock:
353 Maaaring Ipadala Agad
Ang mga dami na higit pa sa 353 ay sasailalim sa minimum na mga kinakailangan sa pag-order.
Minimum: 1   Mga Multiple: 1
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
₱178.06 ₱178.06
₱88.74 ₱887.40
₱79.46 ₱7,946.00
₱64.38 ₱32,190.00
₱62.64 ₱62,640.00
₱60.90 ₱152,250.00

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
Central Semiconductor
Kategorya ng Produkto: Mga MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
11 A
300 mOhms
- 30 V, 30 V
2 V
23.05 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
UltraMOS
Tube
Brand: Central Semiconductor
Kumpigurasyon: Single
Uri ng Produkto: MOSFETs
Dami ng Pack ng Pabrika: 50
Subcategory: Transistors
Timbang ng Unit: 2 g
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

CxxDM Surface-Mount Enhancement-Mode MOSFETs

Central Semiconductor CxxDM Surface-Mount Enhancement-Mode MOSFETs are designed for high-speed pulsed amplifier and driver applications. These MOSFETs offer a very low RDS(ON) and low threshold voltage.

CDMxx Silicon N-Channel Power MOSFETs

Central Semiconductor CDMxx Silicon N-Channel Power MOSFETs are designed for high voltage, fast switching applications such as Power Factor Correction (PFC), lighting and power inverters. These MOSFETs combine high voltage capability with low RDS(ON), low threshold voltage, and low gate charge for optimal efficiency. These devices are offered in through-hole and surface mount.