Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

CGHV14800F

Name: MACOM CGHV14800F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV14800F
Price: 90721.86 PHP
Availability: OutOfStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

941-CGHV14800F

Mfr. #:

CGHV14800F

Mfr.:

MACOM

Paglalarawan:

GaN FETs GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 800 Watt

Datasheet:

CGHV14800F Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa MACOM CGHV14800F

Availability

Stock:: Hindi Naka-stock

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 26 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika.

Matagal na lead time na iniulat sa produktong ito.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 10 Mga Multiple: 10

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

LIBRENG Ipapadala ang Produktong Ito

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱90,721.86	₱907,218.60

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	MACOM
Kategorya ng Produkto:	GaN FETs
RoHS:
Isitilo ng Mounting:	Screw Mount
Package / Case:	440117
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	150 V
Id - Continuous Drain Current:	24 A
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	- 3.8 V
Minimum na Operating Temperature:	- 40 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 100 C
Brand:	MACOM
Kit sa Pag-develop:	CGHV14800F-TB
Gain:	14 dB
Maximum na Operating Frequency:	1.4 GHz
Minimum na Operating Frequency:	1.2 GHz
Output Power:	800 W
Packaging:	Tray
Uri ng Produkto:	GaN FETs
Dami ng Pack ng Pabrika:	10
Subcategory:	Transistors
Teknolohiya:	GaN
Uri ng Transistor:	GaN HEMT
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage:	- 10 V to 2 V
Timbang ng Unit:	71 g

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

CGHV14800F Datasheet (PDF)

PCN

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

CGHV14800 GaN HEMT

MACOM CGHV14800F 800W Gallium-Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) is designed specifically for high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities. The module is ideal for 1.2GHz to 1.4GHz L-band radar amplifier applications, such as air traffic control (ATC), weather, penetration, and military. MACOM CGHV14800F GaN HEMT operates at 50V, typically delivering more than 65% drain efficiency. This device is supplied in a ceramic/metal flange type 440117 package.