Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

CGH09120F

Name: MACOM CGH09120F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGH09120F
Price: 37145.52 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

941-CGH09120F

Mfr. #:

CGH09120F

Mfr.:

MACOM

Paglalarawan:

GaN FETs GaN HEMT UHF-2.5GHz, 120 Watt

Datasheet:

CGH09120F Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa MACOM CGH09120F

May Stock: 7

Stock:: 7 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 26 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

LIBRENG Ipapadala ang Produktong Ito

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱37,145.52	₱37,145.52
	₱33,071.60	₱330,716.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	MACOM
Kategorya ng Produkto:	GaN FETs
RoHS:
Isitilo ng Mounting:	Screw Mount
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	120 V
Id - Continuous Drain Current:	28 A
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	- 3 V
Minimum na Operating Temperature:	- 40 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	56 W
Brand:	MACOM
Kumpigurasyon:	Single
Gain:	21 dB
Maximum na Drain Gate Voltage:	28 V
Maximum na Operating Frequency:	2.5 GHz
Minimum na Operating Frequency:	300 MHz
Output Power:	20 W
Packaging:	Tray
Uri ng Produkto:	GaN FETs
Dami ng Pack ng Pabrika:	40
Subcategory:	Transistors
Teknolohiya:	GaN
Uri ng Transistor:	GaN HEMT
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage:	- 10 V, 2 V

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

CGH09120F Datasheet (PDF)

PCN

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

CGH09120F GaN High Electron Mobility Transistor

MACOM CGH09120F GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) is designed for high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities. This module allows for a high degree of DPD correction to be applied, making it ideal for MC-GSM, WCDMA, and LTE amplifier applications. This MACOM transistor is housed in a ceramic/metal flange package.