LMG341xR150 GaN FET

Gamit ang Texas Instruments LMG341xR150 GaN FET na may integrated driver at protection, maa-achieve ng mga designer ang mga bagong level ng power density at efficiency sa mga power electronics system. Nagtatampok ang LMG341xR150 GaN FET ng napakababang input at output capacitance, zero reverse recovery para mabawasan ang mga switching loss nang hanggang 80%, at low switch node ringing para mabawasan ang EMI. Dahil sa mga feature na ito, posible ang dense at efficient na mga topology gaya ng totem pole PFC.