Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

UG3SC120009K4S

Name: onsemi UG3SC120009K4S
Brand: onsemi
SKU: 431-UG3SC120009K4S
Price: 3736.36 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

431-UG3SC120009K4S

Mfr. #:

UG3SC120009K4S

Mfr.:

onsemi

Paglalarawan:

JFETs 1200V/9MOSICFETDGG3TO247-4

Datasheet:

UG3SC120009K4S Datasheet

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa onsemi UG3SC120009K4S

May Stock: 627

Stock:: 627 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 31 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ang mga dami na higit pa sa 627 ay sasailalim sa minimum na mga kinakailangan sa pag-order.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

LIBRENG Ipapadala ang Produktong Ito

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱3,736.36	₱3,736.36
	₱2,867.52	₱28,675.20
	₱2,820.54	₱338,464.80
510	Quote

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	onsemi
Kategorya ng Produkto:	Mga JFET
RoHS:
Teknolohiya:	SiC
Isitilo ng Mounting:	Through Hole
Package / Case:	TO-247-4
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Kumpigurasyon:	Single
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	1.2 kV
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage:	- 25 V to 25 V
Drain-Source Current at Vgs=0:	6 uA
Id - Continuous Drain Current:	120 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	7.6 mOhms
Pd - Power Dissipation:	789 W
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Series:	UG3S
Packaging:	Tube
Brand:	onsemi
Uri ng Produkto:	JFETs
Dami ng Pack ng Pabrika:	30
Subcategory:	Transistors

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

UG3SC120009K4S Datasheet

PCN

Product Change Notification 2025-4-11 (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

UG3SC 1200V 7.6mΩ Combo-FET

onsemi UG3SC 1200V 7.6mΩ Combo-FET combines a 1200V SiC JFET and a low-voltage Si MOSFET in a single TO-247-4L package. This design enables a normally off switch while utilizing the advantages of a normally on SiC JFET. The UG3SC Combo-FET from onsemi offers ultra-low on-resistance [R_DS(on)] for reduced conduction losses and the robustness needed for high-energy switching in circuit protection applications.

Combo-FETs

onsemi Combo-FETs are revolutionary devices that combine a low R_DS(on) onsemi SiC JFET with a Si MOSFET in a single, compact package. Explicitly designed for low-frequency protection applications, such as solid-state circuit breakers, battery disconnects, and surge protection, these Combo-FETs allow users access to the JFET gate to optimize the design. Integrating the Si MOSFET in these onsemi Combo-FETs ensures a normally off solution, achieving a size reduction of over 25% compared to discrete implementations.