Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

GP2T020A120H

Name: SemiQ GP2T020A120H
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP2T020A120H
Price: 1161.16 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

148-GP2T020A120H

Mfr. #:

GP2T020A120H

Mfr.:

SemiQ

Paglalarawan:

SiC MOSFETs 1200V, 18mOhm, TO-247-4L MOSFET

Datasheet:

GP2T020A120H Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa SemiQ GP2T020A120H

May Stock: 48

Stock:: 48 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱1,161.16	₱1,161.16
	₱955.26	₱9,552.60
	₱825.92	₱99,110.40
1,020	Quote

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	SemiQ
Kategorya ng Produkto:	Mga SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Isitilo ng Mounting:	Through Hole
Package / Case:	TO-247-4
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	1.2 kV
Id - Continuous Drain Current:	119 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	18 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	4 V
Qg - Gate Charge:	216 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Pd - Power Dissipation:	564 W
Channel Mode:	Enhancement
Brand:	SemiQ
Kumpigurasyon:	Single
Tagal ng Pagbagsak:	19 ns
Forward Transconductance - Min:	26 S
Packaging:	Tube
Uri ng Produkto:	SiC MOSFETS
Tagal ng Pagtaas:	5 ns
Series:	GP2T020A120
Dami ng Pack ng Pabrika:	30
Subcategory:	Transistors
Teknolohiya:	SiC
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	38 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	17 ns

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

GP2T020A120H Datasheet (PDF)

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GP2T020A120H 1200V SiC MOSFET

SemiQ GP2T020A120H 1200V SiC MOSFET can be combined with silicon carbide Schottky diodes to achieve optimal performance without the trade-offs made with Silicon devices. This MOSFET offers reduced switching losses, higher efficiency, reduced heat sink size, and increased power density. The GP2T020A120H MOSFET features high-speed switching, longer creepage distance, 564W power dissipation, and 800mJ single pulse avalanche energy. This MOSFET is ideal for designers working on EV charging, industrial controls, and HVAC systems. Typical applications include power factor correction, DC-DC converter primary switching, and synchronous rectification.