BGA855N6E6327XTSA1

Infineon Technologies
726-BGA855N6E6327XTS
BGA855N6E6327XTSA1

Mfr.:

Paglalarawan:
RF Amplifier RF MMIC SUB 3 GHZ

Datasheet:
ECAD Model:
I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.
Higit Pang Impormasyon
Alamin pa ang tungkol sa Infineon Technologies BGA855N6E6327XTSA1

Availability

Stock:
Hindi Naka-stock
Lead-Time ng Pabrika:
24 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika.
Minimum: 1   Mga Multiple: 1
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:
Packaging:
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 12000)

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
Cut Tape / MouseReel™ †
₱36.54 ₱36.54
₱25.69 ₱256.90
₱23.08 ₱577.00
₱20.13 ₱2,013.00
₱18.73 ₱4,682.50
₱17.92 ₱8,960.00
₱16.47 ₱16,470.00
₱16.07 ₱64,280.00
₱15.60 ₱124,800.00
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 12000)
₱15.60 ₱187,200.00
† ₱350.00 Idaragdag at kakalkulahin sa iyong shopping cart ang bayarin sa MouseReel™ Hindi makakansela at maisasauli ang mga order na MouseReel™ ↩

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
Infineon
Kategorya ng Produkto: RF Amplifier
RoHS:  
1.164 GHz to 1.3 GHz
1.1 V to 3.3 V
4.4 mA
17.6 dB
0.6 dB
Low Noise Amplifiers
SMD/SMT
TSNP-6
SiGe
- 14 dBm
1 dBm
- 40 C
+ 85 C
BGA855N6
Reel
Cut Tape
MouseReel
Brand: Infineon Technologies
Input Return Loss: 11 dB
Isolation dB: 22 dB
Dami ng Channel: 1 Channel
Pd - Power Dissipation: 60 mW
Uri ng Produkto: RF Amplifier
Dami ng Pack ng Pabrika: 12000
Subcategory: Wireless & RF Integrated Circuits
Test Frequency: 1.214 GHz
Mga Alias ng # ng Piyesa : BGA 855N6 E6327 SP002337750
Timbang ng Unit: 0.830 mg
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

Datasheet

Models

Product Catalogs

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CNHTS:
8542339000
USHTS:
8542330001
TARIC:
8542330000
ECCN:
EAR99

Low Noise Amplifier (LNA) ICs

Infineon Technologies Low Noise Amplifier (LNA) ICs boost data rates and reception quality of wireless applications by utilizing a very low-power signal without significant signal-to-noise ratio degradation. The improved receiver sensitivity enhances user experiences and satisfies market requirements. These highly integrated, small-packaged devices come with ESD protection and low power consumption, which is ideal for battery-operated mobile devices. Users of 4G/5G, GPS, Mobile TV, Wi-Fi, and FM portable devices will enjoy high data-rate reception, fast/precise navigation, and smooth, high-quality streaming even in the worst reception conditions.

BGA855N6 Low Noise RF Amplifier

Pinahuhusay ng Infineon Technologies BGA855N6 Low Noise RF Amplifier ang GNSS signal sensitivity para sa mga aplikasyon ng L-band na tumatakbo sa loob ng 1164MHz hanggang 1300MHz frequency range. Saklaw ng amplifier na ito ang GPS L2/L5, Galileo E5a, E5b, E6, Glonass G3, G2, Beidou B3, at B2 bands. Nagtatampok ang BGA855N6 amplifier ng 17.8dB insertion power gain, mababang konsumo sa kuryente, mataas na linearity performance, tugmang RF output sa panloob, at mataas na accuracy. Ang mataas na linearity performance ng BGA855N6 ay nagsisiguro ng pinakamahusay na sensitivity para sa operasyon sa mga 4G & 5G NSA configuration. Nakabatay ang amplifier na ito sa Infineon Technologies‘ B9HF Silicon Germanium technology at tumatakbo mula sa 1.1V hanggang 3.3V supply voltage.

May di-inaasahang error na nangyari.


May tanong ka? Bisitahin ang Help Center.
Para sa mga tanong sa isang partikular na order, mag-log in sa account mo.

Kung may maranasan kang iba pang problema, kontakin kami sa 800-346-6873 o mag-email sa help@mouser.com.