Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

SIJK5100E-T1-GE3

Name: Vishay SIJK5100E-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 78-SIJK5100E-T1-GE3
Price: 373.52 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

78-SIJK5100E-T1-GE3

Mfr. #:

SIJK5100E-T1-GE3

Mfr.:

Vishay

Paglalarawan:

MOSFETs PWRPK 100V 417A

Lifecycle:

Bagong Produkto:

Bago mula sa manufacturer na ito.

Datasheet:

SIJK5100E-T1-GE3 Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa Vishay SIJK5100E-T1-GE3

May Stock: 4,359

Stock:: 4,359 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 3 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱373.52	₱373.52
	₱255.78	₱2,557.80
	₱186.76	₱18,676.00
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 1500)
	₱151.96	₱227,940.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	Vishay
Kategorya ng Produkto:	Mga MOSFET
RoHS:
Teknolohiya:	Si
Isitilo ng Mounting:	SMD/SMT
Package / Case:	PowerPAK-16
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	100 V
Id - Continuous Drain Current:	417 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	1.4 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	4 V
Qg - Gate Charge:	131 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Pd - Power Dissipation:	536 W
Channel Mode:	Enhancement
Pangalang pangkalakal:	TrenchFET
Packaging:	Reel
Packaging:	Cut Tape
Brand:	Vishay
Kumpigurasyon:	Single
Tagal ng Pagbagsak:	35 ns
Forward Transconductance - Min:	245 S
Uri ng Produkto:	MOSFETs
Tagal ng Pagtaas:	18 ns
Series:	SIJK5100E
Dami ng Pack ng Pabrika:	1500
Subcategory:	Transistors
Uri ng Transistor:	1 N-Channel
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	54 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	41 ns

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

SIJK5100E-T1-GE3 Datasheet (PDF)

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SiJK5100E N-Channel MOSFET

Vishay / Siliconix SiJK5100E N-Channel MOSFET is a TrenchFET^® Gen V power MOSFET with 100V drain-source voltage. This MOSFET features 536W maximum power dissipation at +25°C, 487A continuous source-drain diode current at +25°C, and a single configuration. The SiJK5100E is UIS tested, lead free, and halogen free. Vishay / Siliconix SiJK5100E N-Channel MOSFET operates within a -55°C to +175°C temperature range. Typical applications include synchronous rectification, automation, power supplies, motor drive control, and battery management.