Mga 750V UJ4C/SC SiC FET sa D2PAK-7L Package

Ang mga UnitedSiC / Qorvo 750V UJ4C/SC SiC FET sa D2PAK-7L Package ay available sa maraming on-resistance na opsyon mula 9mΩ hanggang 60mΩ. Gamit ang isang unique na cascode SiC FET technology kung saan ang isang normally-on SiC JFET ay may kasamang Si MOSFET sa package para mag-produce ng isang normally-off SiC FET, ang mga device na ito ay naghahatid ng best-in-class na R_DS x Area Figure of Merit, na nagreresulta sa pinakamabababang conduction loss sa maliit na die. Ang D2PAK-7L package ay naglalaan ng reduced inductance mula sa mga compact internal connection loop, na, kasama ng Kelvin source connection, nagreresulta sa mababang switching loss, na nagpapahintulot ng mas mataas na frequency operation at pinahusay na system power density. Ang limang parallel gull-wing source connection ay nagpapahintulot ng mababang inductance at mataas na current usage. Ang silver-sinter die-attach ay nagreresulta sa napakababang thermal resistance para sa maximum heat extraction sa mga standard PCB at IMS substrate na may liquid cooling. Ang mga SiC FET na ito ay nag-aalok ng low body diode, ultra-low gate charge, at 4.8V na threshold voltage na nagpapahintulot ng 0V hanggang 15V na drive. Dahil sa standard gate-drive characteristics ng mga FET, bagay na bagay ang mga ito sa mga Si IGBT, Si FET, SiC MOSFET, o mga Si super-junction device.