Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

RF4G100BGTCR

Name: ROHM Semiconductor RF4G100BGTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RF4G100BGTCR
Price: 79.46 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

755-RF4G100BGTCR

Mfr. #:

RF4G100BGTCR

Mfr.:

ROHM Semiconductor

Paglalarawan:

MOSFETs DFN2020 N-CH 40V 10A

Datasheet:

RF4G100BGTCR Datasheet

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa ROHM Semiconductor RF4G100BGTCR

May Stock: 8,342

Stock:: 8,342 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 16 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱79.46	₱79.46
	₱50.11	₱501.10
	₱33.18	₱3,318.00
	₱25.93	₱12,965.00
	₱23.55	₱23,550.00
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 3000)
	₱20.59	₱61,770.00
	₱19.08	₱114,480.00
	₱18.04	₱162,360.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	ROHM Semiconductor
Kategorya ng Produkto:	Mga MOSFET
RoHS:
Teknolohiya:	Si
Isitilo ng Mounting:	SMD/SMT
Package / Case:	DFN-2020-8
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	40 V
Id - Continuous Drain Current:	10 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	14.2 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2.5 V
Qg - Gate Charge:	10.6 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	2 W
Channel Mode:	Enhancement
Packaging:	Reel
Packaging:	Cut Tape
Brand:	ROHM Semiconductor
Kumpigurasyon:	Single
Tagal ng Pagbagsak:	4.5 ns
Forward Transconductance - Min:	5.2 S
Uri ng Produkto:	MOSFETs
Tagal ng Pagtaas:	6.5 ns
Dami ng Pack ng Pabrika:	3000
Subcategory:	Transistors
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	21 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	8.5 ns
Mga Alias ng # ng Piyesa :	RF4G100BG

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

RF4G100BGTCR Datasheet

Specification Sheets

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RF4G100BG N-Channel Power MOSFET

ROHM Semiconductor RF4G100BG N-Channel Power MOSFET is a 40V, 10A MOSFET featuring a low 14.2mΩ on-resistance, making it ideal for switching applications. The RF4G100BG has a 27ns (typical) reverse recovery time and an 18nC (typical) reverse recovery charge. Power dissipation for the device is 2.0W, and it features a wide -55℃ to +150℃ operating junction and storage temperature range.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.