Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

May Nakikitang Error?

SIHR080N60E-T1-GE3

Name: Vishay SIHR080N60E-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIHR080N60ET1GE3
Price: 415.28 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

78-SIHR080N60ET1GE3

Mfr. #:

SIHR080N60E-T1-GE3

Mfr.:

Vishay / Siliconix

Paglalarawan:

MOSFETs N-CHANNEL 600V

Datasheet:

SIHR080N60E-T1-GE3 Datasheet

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa Vishay / Siliconix SIHR080N60E-T1-GE3

May Stock: 2,212

Stock:: 2,212 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱415.28	₱415.28
	₱298.12	₱2,981.20
	₱226.78	₱22,678.00
	₱212.86	₱212,860.00
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 2000)
	₱201.84	₱403,680.00
4,000	Quote

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	Vishay
Kategorya ng Produkto:	Mga MOSFET
RoHS:
Teknolohiya:	Si
Isitilo ng Mounting:	SMD/SMT
Package / Case:	PowerPAK-8
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	600 V
Id - Continuous Drain Current:	51 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	74 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	5 V
Qg - Gate Charge:	42 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	500 W
Channel Mode:	Enhancement
Pangalang pangkalakal:	PowerPAK
Packaging:	Reel
Packaging:	Cut Tape
Brand:	Vishay / Siliconix
Kumpigurasyon:	Single
Tagal ng Pagbagsak:	31 ns
Forward Transconductance - Min:	4.6 S
Uri ng Produkto:	MOSFETs
Tagal ng Pagtaas:	96 ns
Series:	SIHR E
Dami ng Pack ng Pabrika:	2000
Subcategory:	Transistors
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	37 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	31 ns

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

SIHR080N60E-T1-GE3 Datasheet

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SiHR080N60E N-Channel Power MOSFET

Ang Vishay / Siliconix SiHR080N60E N-Channel Power MOSFET ay fourth-generation na 600V E series power MOSFET na nasa isang PowerPAK® 8 x 8LR na package. Naglalaan ang MOSFET ng mas mataas na efficiency at power density para sa telecom, industrial, at mga computing application. Nagtatampok ang mga SiHR080N60E ng mababang typical on-resistance na 0.074Ω sa 10V at napakababang gate charge na hanggang 42nC, dahil dito, nababawasan ang conduction at mga switching loss, kaya nakakatipid ng energy at nadagdagan ang efficiency sa mga power system na >2kW. Naglalaan din ang package ng Kelvin connection para sa pinahusay na switching efficiency. Ang Vishay / Siliconix SiHR080N60E ay dinisenyo na makatagal sa mga overvoltage transient sa avalanche mode at may guarantisadong mga limit dahil sa 100% na UIS testing.