Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

May Nakikitang Error?

SIHS90N65E-GE3

Name: Vishay SIHS90N65E-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIHS90N65E-GE3
Price: 1177.98 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

78-SIHS90N65E-GE3

Mfr. #:

SIHS90N65E-GE3

Mfr.:

Vishay / Siliconix

Paglalarawan:

MOSFETs SPR247 650V 87A N-CH MOSFET

Datasheet:

SIHS90N65E-GE3 Datasheet

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa Vishay / Siliconix SIHS90N65E-GE3

May Stock: 72

Stock:: 72 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.

Ang mga dami na higit pa sa 72 ay sasailalim sa minimum na mga kinakailangan sa pag-order.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱1,177.98	₱1,177.98
	₱843.32	₱8,433.20

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	Vishay
Kategorya ng Produkto:	Mga MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Teknolohiya:	Si
Isitilo ng Mounting:	Through Hole
Package / Case:	Super-247-3
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	650 V
Id - Continuous Drain Current:	87 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	29 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	4 V
Qg - Gate Charge:	394 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	625 W
Channel Mode:	Enhancement
Packaging:	Tube
Brand:	Vishay / Siliconix
Kumpigurasyon:	Single
Bansa ng Pag-assemble:	Not Available
Bansa ng Diffusion:	Not Available
Bansang Pinagmulan:	CN
Tagal ng Pagbagsak:	267 ns
Forward Transconductance - Min:	32 S
Uri ng Produkto:	MOSFETs
Tagal ng Pagtaas:	152 ns
Series:	SIHS E
Dami ng Pack ng Pabrika:	480
Subcategory:	Transistors
Uri ng Transistor:	E Series Power MOSFET
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	323 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	85 ns

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

SIHS90N65E-GE3 Datasheet

Models

Technical Resources

TO-274AA (High Voltage)

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SiHS90N65E Power MOSFET

Vishay / Siliconix SiHS90N65E Power MOSFET offers a low figure-of-merit, low input capacitance, and ultra-low gate charge. The SiHS90N65E Power MOSFET has a 700V drain-source voltage and is optimized to reduce switching and conduction losses. The Vishay / Siliconix SiHS90N65E Power MOSFET is suitable for server and telecom power supplies, lighting, and industrial applications.