Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

NVH4L095N065SC1

Name: onsemi NVH4L095N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVH4L095N065SC1
Price: 736.02 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

863-NVH4L095N065SC1

Mfr. #:

NVH4L095N065SC1

Mfr.:

onsemi

Paglalarawan:

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V

Datasheet:

NVH4L095N065SC1 Datasheet

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa onsemi NVH4L095N065SC1

May Stock: 440

Stock:: 440 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 9 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱736.02	₱736.02
	₱441.96	₱4,419.60
	₱419.34	₱50,320.80

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	onsemi
Kategorya ng Produkto:	Mga SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Isitilo ng Mounting:	Through Hole
Package / Case:	TO-247-4
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	650 V
Id - Continuous Drain Current:	31 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	105 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 5 V, + 18 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	4.3 V
Qg - Gate Charge:	50 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Pd - Power Dissipation:	64 W
Channel Mode:	Enhancement
Pangalang pangkalakal:	EliteSiC
Brand:	onsemi
Tagal ng Pagbagsak:	9 ns
Forward Transconductance - Min:	6.9 S
Packaging:	Tube
Produkto:	Mosfets
Uri ng Produkto:	SiC MOSFETS
Tagal ng Pagtaas:	12 ns
Series:	NVH4L095N065SC1
Dami ng Pack ng Pabrika:	30
Subcategory:	Transistors
Teknolohiya:	SiC
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	20 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	8 ns

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

NVH4L095N065SC1 Datasheet

Material Composition Disclosure

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVH4L095N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NVH4L095N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs feature advanced technology for better-switching performance and reliability. The onsemi NVH4L095N065SC1 has low ON resistance and compact chip size, resulting in reduced capacitance and gate charge. The device also has high efficiency, fast operation, increased power density, less EMI, and a smaller system size.

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low R_DS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).