Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

FFSP0865B

Name: onsemi FFSP0865B
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSP0865B
Price: 252.28 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

863-FFSP0865B

Mfr. #:

FFSP0865B

Mfr.:

onsemi

Paglalarawan:

SiC Schottky Diodes SIC DIODE TO220 650V

Datasheet:

FFSP0865B Datasheet

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa onsemi FFSP0865B

May Stock: 1,173

Stock:: 1,173 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 16 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱252.28	₱252.28
	₱128.52	₱1,285.20
	₱110.67	₱11,067.00
	₱94.61	₱47,305.00
	₱91.04	₱91,040.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	onsemi
Kategorya ng Produkto:	Mga SiC Schottky Diode
RoHS:
Isitilo ng Mounting:	Through Hole
Package / Case:	TO-220-2
Kumpigurasyon:	Single
If - Forward Current:	8 A
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage:	650 V
Vf - Forward Voltage:	1.39 V
Ifsm - Forward Surge Current:	56 A
Ir - Reverse Current:	40 uA
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Series:	FFSP0865B
Packaging:	Tube
Brand:	onsemi
Pd - Power Dissipation:	73 W
Uri ng Produkto:	SiC Schottky Diodes
Dami ng Pack ng Pabrika:	50
Subcategory:	Diodes & Rectifiers
Pangalang pangkalakal:	EliteSiC
Vr - Reverse Voltage:	650 V

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

FFSP0865B Datasheet

PCN

Material Composition Disclosure

Mga Kodigo sa Pagsunod

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Mga Klasipikasyon ng Pinagmulan

Bansang Pinagmulan:: China
Bansang Pinagmulan ng Pag-assemble:: China
Bansa ng Diffusion:: Korea, Republic of

Ang bansa ay maaaring magbago sa oras ng pagpapadala.

FFSP0865B 650V 8A SiC Schottky Diodes

onsemi FFSP0865B 650V, 8A Silicon Carbide Schottky Diodes use a technology that provides superior switching performance and higher reliability. onsemi FFSP0865B SiC Diodes feature temperature-independent switching characteristics, no reverse recovery current, and excellent thermal performance. Additional benefits include the highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. The FFSP0865B 650V and 8A SiC Schottky Diodes come in a TO-220-2LD package.

D2 EliteSiC Diodes

onsemi D2 EliteSiC Diodes are a range of high-performance diodes designed for applications requiring a voltage rating of 650V. The onsemi D2 is available in various packages, including DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2, and TO-247-3. These diodes offer low capacitive charge (QC) and are optimized for high-speed switching with low forward voltage. These features make the diodes ideal for power factor correction (PFC) and output rectification applications.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.