QPD2025D

Qorvo
772-QPD2025D
QPD2025D

Mfr.:

Paglalarawan:
RF JFET Transistors 0.25 mm Pwr pHEMT

ECAD Model:
I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

May Stock: 100

Stock:
100 Maaaring Ipadala Agad
Lead-Time ng Pabrika:
20 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.
Ang mga dami na higit pa sa 100 ay sasailalim sa minimum na mga kinakailangan sa pag-order.
Minimum: 100   Mga Multiple: 100
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:
LIBRENG Ipapadala ang Produktong Ito

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 100)
₱541.72 ₱54,172.00

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
Qorvo
Kategorya ng Produkto: Mga RF JFET Transistor
RoHS:  
pHEMT
Reel
Brand: Qorvo
Uri ng Produkto: RF JFET Transistors
Series: QPD2025D
Dami ng Pack ng Pabrika: 100
Subcategory: Transistors
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CNHTS:
8541210000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

QPD2025D 250um Discrete GaAs pHEMT Die

Qorvo QPD2025D 250um Discrete GaAs pHEMT Die is developed using Qorvo's proven standard 0.25um power pHEMT production process. The process features advanced techniques to optimize microwave power and efficiency at high drain bias operating conditions. The QPD2025D operates from DC to 20GHz with 24dBm typical output power at P1dB with a gain of 14dB and 58% power-added efficiency at 1dB compression. With this performance level, the device is ideal for high-efficiency applications. The protective overcoat layer with silicon nitride delivers environmental robustness and scratch protection.