Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

STGWA20H65DFB2

Name: STMicroelectronics STGWA20H65DFB2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA20H65DFB2
Price: 200.52 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

511-STGWA20H65DFB2

Mfr. #:

STGWA20H65DFB2

Mfr.:

STMicroelectronics

Paglalarawan:

IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l

Kumpletuhin ang Iyong Disenyo

Datasheet:

STGWA20H65DFB2 Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa STMicroelectronics STGWA20H65DFB2

May Stock: 911

Stock:: 911 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 14 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱200.52	₱200.52
	₱126.74	₱1,267.40
	₱89.85	₱8,985.00
	₱74.97	₱44,982.00
	₱64.86	₱77,832.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	STMicroelectronics
Kategorya ng Produkto:	Mga IGBT
RoHS:
Teknolohiya:	Si
Package / Case:	TO-247-3
Isitilo ng Mounting:	Through Hole
Kumpigurasyon:	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	1.65 V
Maximum na Gate Emitter Voltage:	- 20 V, 20 V
Tuloy-tuloy na Collector Current sa 25 C:	40 A
Pd - Power Dissipation:	147 W
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Packaging:	Tube
Brand:	STMicroelectronics
Gate-Emitter Leakage Current:	250 nA
Uri ng Produkto:	IGBT Transistors
Dami ng Pack ng Pabrika:	600
Subcategory:	IGBTs
Timbang ng Unit:	6.100 g

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

STGWA20H65DFB2 Datasheet (PDF)

PCN

Mga Kodigo sa Pagsunod

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Mga Klasipikasyon ng Pinagmulan

Bansang Pinagmulan:: China
Bansang Pinagmulan ng Pag-assemble:: Hindi available
Bansa ng Diffusion:: Hindi available

Ang bansa ay maaaring magbago sa oras ng pagpapadala.

IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.

STGWA20H65DFB2 HB2 IGBT

STMicroelectronics STGWA20H65DFB2 HB2 IGBT is an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The HB2 series optimizes conduction with premium V_CE(sat) at low current values and reduced switching energy. The STGWA20H65DFB2 HB2 IGBT features a low V_CE(sat) of 1.65V (typical) at an I_C of 20A.

1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency converter. With ST's advanced Trench-Gate Field-Stop High-Speed technology, these IGBTs have a 5μs minimum short circuit withstand time at T_J=150°C, minimal collector current turn off tail, and very low saturation voltage (V_CE(sat)) down to 2.1V (typical) to minimize energy losses during switching and when turned on. Furthermore, a slightly positive V_CE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.