Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

RS6N120BHTB1

Name: ROHM Semiconductor RS6N120BHTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RS6N120BHTB1
Price: 211.7 PHP
Availability: OutOfStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

755-RS6N120BHTB1

Mfr. #:

RS6N120BHTB1

Mfr.:

ROHM Semiconductor

Paglalarawan:

MOSFETs Nch 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET: RS6N120BH is a power MOSFET with low-on resistance and high power package, suitable for switching.

Datasheet:

RS6N120BHTB1 Datasheet

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa ROHM Semiconductor RS6N120BHTB1

Availability

Stock:: 0

Mabibili mo pa rin ang produktong ito para sa backorder.

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Inoorder:: 2,500

Inaasahan 5/28/2026
Lead-Time ng Pabrika:: 18

(na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱211.70	₱211.70
	₱138.04	₱1,380.40
	₱107.88	₱10,788.00
	₱90.48	₱45,240.00
	₱78.88	₱78,880.00
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 2500)
	₱78.88	₱197,200.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	ROHM Semiconductor
Kategorya ng Produkto:	Mga MOSFET
RoHS:
Teknolohiya:	Si
Isitilo ng Mounting:	SMD/SMT
Package / Case:	HSOP-8
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	80 V
Id - Continuous Drain Current:	135 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	3.3 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	4 V
Qg - Gate Charge:	53 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	104 W
Channel Mode:	Enhancement
Packaging:	Reel
Packaging:	Cut Tape
Brand:	ROHM Semiconductor
Kumpigurasyon:	Single
Tagal ng Pagbagsak:	35 ns
Forward Transconductance - Min:	42 S
Uri ng Produkto:	MOSFETs
Tagal ng Pagtaas:	47 ns
Dami ng Pack ng Pabrika:	2500
Subcategory:	Transistors
Uri ng Transistor:	1 N-Channel
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	73 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	32 ns

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

RS6N120BHTB1 Datasheet

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RS6N120BH N-Channel Power MOSFET

ROHM Semiconductor RS6N120BH N-Channel Power MOSFET is a compact low-loss MOSFET featuring a Cu clip structure contributing to high-efficiency operation. The system increases current capacity while reducing package resistance. This feature makes the RS6N120BH ideal for drive applications that operate on 24V/36V/48V power supplies.

RS6/RH6 Cu-Clip Package N-Channel Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RS6/RH6 Cu-Clip Package N-Channel Power MOSFETs enable high current handling capability with reduced package resistance. The HSOP-8 and HSMT-8 packaged components provide simultaneous low ON-resistance and gate charge capacitance, minimizing energy loss. Operating within a -55°C to +150°C temperature range, these MOSFETs are ideal for drive applications that operate on 24V/36V/48V power supplies.