Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

NVXK2TR80WDT

Name: onsemi NVXK2TR80WDT
Brand: onsemi
SKU: 863-NVXK2TR80WDT
Price: 2991.06 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

863-NVXK2TR80WDT

Mfr. #:

NVXK2TR80WDT

Mfr.:

onsemi

Paglalarawan:

MOSFET Modules APM32 SIC H-BRIDGE POWER MODULE

Lifecycle:

Bago Sa Mouser

Datasheet:

NVXK2TR80WDT Datasheet

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa onsemi NVXK2TR80WDT

May Stock: 48

Stock:: 48 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 14 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

LIBRENG Ipapadala ang Produktong Ito

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱2,991.06	₱2,991.06
	₱2,459.78	₱24,597.80
	₱2,181.96	₱261,835.20

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	onsemi
Kategorya ng Produkto:	Mga MOSFET Module
RoHS:
Teknolohiya:	SiC
Isitilo ng Mounting:	Through Hole
Package / Case:	APM-32
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	4 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	1.2 kV
Id - Continuous Drain Current:	20 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	116 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	4.3 V
Minimum na Operating Temperature:	- 40 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Pd - Power Dissipation:	82 W
Series:	NVXK2TR80WDT
Packaging:	Tube
Brand:	onsemi
Kumpigurasyon:	Dual Half-Bridge
Tagal ng Pagbagsak:	9 ns
Taas:	5.8 mm
Haba:	44.2 mm
Uri ng Produkto:	MOSFET Modules
Tagal ng Pagtaas:	12 ns
Dami ng Pack ng Pabrika:	60
Subcategory:	Discrete and Power Modules
Pangalang pangkalakal:	EliteSiC
Uri:	Half-Bridge
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	12 ns
Lapad:	29 mm

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

NVXK2TR80WDT Datasheet

Material Composition Disclosure

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVXK2TR80WDT Silicon Carbide (SiC) Module

onsemi NVXK2TR80WDT Silicon Carbide (SiC) Module is a 1200V, 80mΩ, and 20A dual half-bridge EliteSiC power module housed in a APM32 Dual Inline Package (DIP). This SiC module is compactly designed to have a low total module resistance. The NVXK2TR80WDT power module is automotive-qualified per AEC-Q101 and AQG324. This power module is lead-free, ROHS, and UL94V-0 compliant. The NVXK2TR80WDT EliteSiC MOSFET module is ideally used in HV DC-DC and onboard chargers in xEV applications.