NTMT045N065SC1

onsemi
863-NTMT045N065SC1
NTMT045N065SC1

Mfr.:

Paglalarawan:
SiC MOSFETs SIC MOS PQFN88 650V

ECAD Model:
I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

May Stock: 5,875

Stock:
5,875 Maaaring Ipadala Agad
Lead-Time ng Pabrika:
16 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.
Ang mga dami na higit pa sa 5875 ay sasailalim sa minimum na mga kinakailangan sa pag-order.
Minimum: 1   Mga Multiple: 1
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
₱696.00 ₱696.00
₱506.92 ₱5,069.20
₱439.06 ₱43,906.00
₱402.52 ₱402,520.00
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 3000)
₱358.44 ₱1,075,320.00

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
onsemi
Kategorya ng Produkto: Mga SiC MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
TDFN-4
N-Channel
1 Channel
650 V
55 A
50 mOhms
- 8 V, + 22 V
4.3 V
105 nC
- 55 C
+ 175 C
187 W
Enhancement
EliteSiC
Brand: onsemi
Kumpigurasyon: Single
Tagal ng Pagbagsak: 7 ns
Forward Transconductance - Min: 16 S
Packaging: Reel
Packaging: Cut Tape
Uri ng Produkto: SiC MOSFETS
Tagal ng Pagtaas: 14 ns
Series: NTMT045N065SC1
Dami ng Pack ng Pabrika: 3000
Subcategory: Transistors
Teknolohiya: SiC
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off: 26 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on: 13 ns
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low RDS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

NTMT045N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NTMT045N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs use technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. The onsemi MOSFETs feature low ON resistance and a compact chip size that ensures low capacitance and gate charge. The devices have benefits that include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.