RY7P250BMTBC

ROHM Semiconductor
755-RY7P250BMTBC
RY7P250BMTBC

Mfr.:

Paglalarawan:
MOSFETs RY7P250BM is a power MOSFET with low-on resistance and high power package, suitable for Hot Swap Controller (HSC).

Lifecycle:
Bagong Produkto:
Bago mula sa manufacturer na ito.
ECAD Model:
I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Availability

Stock:
0

Mabibili mo pa rin ang produktong ito para sa backorder.

Inoorder:
2,490
Inaasahan 6/4/2026
2,500
Inaasahan 6/11/2026
Lead-Time ng Pabrika:
16
(na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.
Minimum: 1   Mga Multiple: 1
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:
Packaging:
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 2500)

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
Cut Tape / MouseReel™
₱476.76 ₱476.76
₱330.02 ₱3,300.20
₱257.52 ₱25,752.00
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 2500)
₱210.54 ₱526,350.00
† ₱350.00 Idaragdag at kakalkulahin sa iyong shopping cart ang bayarin sa MouseReel™ Hindi makakansela at maisasauli ang mga order na MouseReel™

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
ROHM Semiconductor
Kategorya ng Produkto: Mga MOSFET
Si
SMD/SMT
DFN8080-8
N-Channel
1 Channel
100 V
300 A
1.86 mOhms
20 V
4 V
170 nC
- 55 C
+ 175 C
340 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Brand: ROHM Semiconductor
Kumpigurasyon: Single
Tagal ng Pagbagsak: 200 ns
Forward Transconductance - Min: 27 S
Uri ng Produkto: MOSFETs
Tagal ng Pagtaas: 90 ns
Dami ng Pack ng Pabrika: 2500
Subcategory: Transistors
Uri ng Transistor: 1 N-Channel
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off: 195 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on: 72 ns
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RY7P250BM Power MOSFET

ROHM Semiconductor RY7P250BM Power MOSFET is designed with a low on-resistance of 1.86mΩ (maximum) and comes in a DFN8080 high-power package. This power MOSFET features 100V drain-source voltage (VDSS), ±300A drain current (ID), and 340W power dissipation (PD). The RY7P250BM MOSFET offers a wide Safe Operating Area (SOA) that helps the MOSFET withstand higher voltages and currents without damage, enhancing robustness and reliability. The ROHM RY7P250BM MOSFET is suitable for Hot Swap Controller (HSC) applications.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.