CDMS24783-120 SL

Name: Central Semiconductor CDMS24783-120 SL
Brand: Central Semiconductor
SKU: 610-CDM24783120SL
Price: 1660.54 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

610-CDM24783120SL

Mfr. #:

CDMS24783-120 SL

Mfr.:

Central Semiconductor

Paglalarawan:

SiC MOSFETs 18A,1200V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC

Lifecycle:

Bagong Produkto:

Bago mula sa manufacturer na ito.

Datasheet:

CDMS24783-120 SL Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa Central Semiconductor CDMS24783-120 SL

May Stock: 40

Stock:: 40 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 1 Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱1,660.54	₱1,660.54
	₱1,077.06	₱10,770.60
	₱1,032.98	₱123,957.60

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	Central Semiconductor
Kategorya ng Produkto:	Mga SiC MOSFET
RoHS:
Isitilo ng Mounting:	Through Hole
Package / Case:	TO-247-3
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	1.2 kV
Id - Continuous Drain Current:	18 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	150 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	4 V
Qg - Gate Charge:	55 C
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Pd - Power Dissipation:	28 W
Channel Mode:	Depletion
Brand:	Central Semiconductor
Kumpigurasyon:	Single
Produkto:	MOSFETs
Uri ng Produkto:	SiC MOSFETS
Dami ng Pack ng Pabrika:	30
Subcategory:	Transistors
Teknolohiya:	SiC
Uri ng Transistor:	1 N-Channel
Uri:	SiC MOSFET

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

CDMS24783-120 SL Datasheet (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CDMS24783-120 N-Channel SiC MOSFET

Central Semiconductor CDMS24783-120 Silicon Carbide (SiC) N-Channel MOSFET offers a 1200V drain-source voltage for high-speed switching and fast reverse recovery applications. This SiC MOSFET features a 20V gate-source voltage, 18A continuous drain current, 28W power dissipation, and 20A pulsed drain current. The CDMS24783-120 MOSFET supports higher breakdown voltage and better thermal conductivity. This device is available in a TO-247 package with an operating temperature range of -55°C to 175°C. Typical applications include Electric Vehicles (EV), renewable energy systems, and medical imaging equipment.