GANB4R8-040CBAZ

Nexperia
771-GANB4R8-040CBAZ
GANB4R8-040CBAZ

Mfr.:

Paglalarawan:
GaN FETs GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22

Lifecycle:
Bagong Produkto:
Bago mula sa manufacturer na ito.
ECAD Model:
I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

May Stock: 4,664

Stock:
4,664 Maaaring Ipadala Agad
Lead-Time ng Pabrika:
16 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.
Minimum: 1   Mga Multiple: 1
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:
Packaging:
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 2500)

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
Cut Tape / MouseReel™
₱168.20 ₱168.20
₱109.04 ₱1,090.40
₱106.72 ₱5,336.00
₱75.40 ₱7,540.00
₱62.64 ₱31,320.00
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 2500)
₱60.90 ₱152,250.00
₱50.75 ₱253,750.00
† ₱350.00 Idaragdag at kakalkulahin sa iyong shopping cart ang bayarin sa MouseReel™ Hindi makakansela at maisasauli ang mga order na MouseReel™

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
Nexperia
Kategorya ng Produkto: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
WLCSP-22
N-Channel
1 Channel
20 A
- 6 V, + 6 V
15.8 nC
- 40 C
+ 125 C
13 W
Enhancement
Brand: Nexperia
Kumpigurasyon: Single
Bansa ng Pag-assemble: Not Available
Bansa ng Diffusion: Not Available
Bansang Pinagmulan: CN
Packaging: Reel
Packaging: Cut Tape
Packaging: MouseReel
Uri ng Produkto: GaN FETs
Dami ng Pack ng Pabrika: 2500
Subcategory: Transistors
Teknolohiya: GaN
Mga Alias ng # ng Piyesa : 934667630341
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

GANB4R8-040CBA Bi-Directional GaN FET

Ang Nexperia GANB4R8-040CBA Bi-Directional GaN FET ay isang 40V, 4.8mΩ na bi-directional Gallium Nitride (GaN) High ElectronMobility-Transistor (HEMT). Ang GANB4R8-040CBA ay normally-off na emode FET na naglalaan ng superior performance. Available ang Nexperia GANB4R8-040CBA sa Wafer-Level Chip Scale (WLCSP) na package.