Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

CGHV40200PP

Name: MACOM CGHV40200PP
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV40200PP
Price: 37678.97 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

941-CGHV40200PP

Mfr. #:

CGHV40200PP

Mfr.:

MACOM

Paglalarawan:

GaN FETs GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt

Datasheet:

CGHV40200PP Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa MACOM CGHV40200PP

Alerto sa Pagpapadala:

Maaaring mangailangan ng karagdagang dokumentasyon ang produktong ito para ma-export sa United States.

May Stock: 22

Stock:: 22 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 26 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

LIBRENG Ipapadala ang Produktong Ito

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱37,678.97	₱37,678.97
	₱33,037.38	₱330,373.80

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	MACOM
Kategorya ng Produkto:	GaN FETs
Mga Paghihigpit sa Pagpapadala:	Maaaring mangailangan ng karagdagang dokumentasyon ang produktong ito para ma-export sa United States.
RoHS:
Isitilo ng Mounting:	Screw Mount
Package / Case:	440199
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	150 V
Id - Continuous Drain Current:	8.7 A
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	- 3 V
Minimum na Operating Temperature:	- 40 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	166 W
Brand:	MACOM
Kumpigurasyon:	Single
Kit sa Pag-develop:	CGHV40200PP-AMP1
Gain:	16.1 dB
Maximum na Operating Frequency:	1.9 GHz
Minimum na Operating Frequency:	1.7 GHz
Output Power:	250 W
Packaging:	Tray
Uri ng Produkto:	GaN FETs
Dami ng Pack ng Pabrika:	25
Subcategory:	Transistors
Teknolohiya:	GaN
Uri ng Transistor:	GaN HEMT
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage:	- 10 V, 2 V

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

CGHV40200PP Datasheet (PDF)

PCN

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

Mga Kodigo sa Pagsunod

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.a.4

Mga Klasipikasyon ng Pinagmulan

Bansang Pinagmulan:: United States
Bansang Pinagmulan ng Pag-assemble:: Hindi available
Bansa ng Diffusion:: Hindi available

Ang bansa ay maaaring magbago sa oras ng pagpapadala.

CGHV40200PP GaN HEMT

MACOM CGHV40200PP Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) operates from a 50V rail and offers a broadband solution to RF and microwave applications. This transistor provides high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities, making it ideal for linear and compressed amplifier circuits. MACOM CGHV40200PP GaN HEMT is available in a 4-lead flange package. Typical applications include 2-way radio, broadband amplifiers, radar amplifiers, and test instrumentation.