LMG2100R044RARR

Texas Instruments
595-LMG2100R044RARR
LMG2100R044RARR

Mfr.:

Paglalarawan:
Gate Drivers 100-V 4.4-m? half-br idge GaN FET with i

Lifecycle:
Bagong Produkto:
Bago mula sa manufacturer na ito.
ECAD Model:
I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

May Stock: 5,182

Stock:
5,182 Maaaring Ipadala Agad
Lead-Time ng Pabrika:
12 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.
Minimum: 1   Mga Multiple: 1
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:
Packaging:
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 2500)

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
Cut Tape / MouseReel™
₱527.80 ₱527.80
₱361.34 ₱3,613.40
₱288.84 ₱28,884.00
₱260.42 ₱260,420.00
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 2500)
₱252.88 ₱632,200.00
† ₱350.00 Idaragdag at kakalkulahin sa iyong shopping cart ang bayarin sa MouseReel™ Hindi makakansela at maisasauli ang mga order na MouseReel™

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
Texas Instruments
Kategorya ng Produkto: Mga Gate Driver
RoHS:  
SMD/SMT
VQFN-FCRLF-16
- 40 C
+ 125 C
LMG2100R044
Reel
Cut Tape
MouseReel
Brand: Texas Instruments
Maselan sa Moisture: Yes
Uri ng Produkto: Gate Drivers
Dami ng Pack ng Pabrika: 2500
Subcategory: PMIC - Power Management ICs
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

LMG2100R044 GaN Half-Bridge Power Stage

Texas Instruments LMG2100R044 GaN Half-Bridge Power Stage is a 90V continuous, 100V pulsed, 35A half-bridge power stage with integrated gate-driver and enhancement-mode Gallium Nitride (GaN) FETs. The LMG2100R044 combines two 100V GaN FETs driven by one high-frequency 90V GaN FET driver in a half-bridge configuration. The GaN FETs offer significant advantages for power conversion, such as zero reverse recovery and minimal input capacitance CISS and output capacitance COSS.