Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

RQ3L060BGTB1

Name: ROHM Semiconductor RQ3L060BGTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3L060BGTB1
Price: 87.58 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

755-RQ3L060BGTB1

Mfr. #:

RQ3L060BGTB1

Mfr.:

ROHM Semiconductor

Paglalarawan:

MOSFETs HSMT8 N-CH 60V 15.5A

Datasheet:

RQ3L060BGTB1 Datasheet

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa ROHM Semiconductor RQ3L060BGTB1

May Stock: 2,517

Stock:: 2,517 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 18 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱87.58	₱87.58
	₱55.51	₱555.10
	₱37.00	₱3,700.00
	₱29.00	₱14,500.00
	₱26.45	₱26,450.00
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 3000)
	₱23.72	₱71,160.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	ROHM Semiconductor
Kategorya ng Produkto:	Mga MOSFET
RoHS:
Teknolohiya:	Si
Isitilo ng Mounting:	SMD/SMT
Package / Case:	HSMT-8
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	60 V
Id - Continuous Drain Current:	15.5 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	38 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2.5 V
Qg - Gate Charge:	5.5 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	14 W
Channel Mode:	Enhancement
Packaging:	Reel
Packaging:	Cut Tape
Brand:	ROHM Semiconductor
Kumpigurasyon:	Single
Tagal ng Pagbagsak:	4.8 ns
Forward Transconductance - Min:	4 S
Uri ng Produkto:	MOSFETs
Tagal ng Pagtaas:	4.3 ns
Dami ng Pack ng Pabrika:	3000
Subcategory:	Transistors
Uri ng Transistor:	1 N-Channel
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	18.5 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	7.4 ns

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

RQ3L060BGTB1 Datasheet

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

RQ3L060BG Power MOSFET

Ang ROHM Semiconductor RQ3L060BG Power MOSFET ay nagtatampok ng 60V na drain-source voltage (V_DSS) at ±15.5A na continuous drain current. Ang N-channel MOSFET na ito ay nag-aalok 38mΩ na low on-resistance (R_DS(on)) at power dissipation na 14W. Gumagana ang RQ3L060BG MOSFET sa -55°C hanggang 150°C na operating junction at storage temperature range at available sa Halogen-free at High-Power Small Mold Package (HSMT8). Ang RoHS-compliant na device na ito ay may Pb-free plating. Kasama sa mga karaniwang pinaggagamitan ang switching, mga motor drive, at DC/DC converter.