Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

GCMX080C120S1-E1

Name: SemiQ GCMX080C120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX080C120S1-E1
Price: 1249.32 PHP
Availability: OutOfStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

148-GCMX080C120S1-E1

Mfr. #:

GCMX080C120S1-E1

Mfr.:

SemiQ

Paglalarawan:

MOSFET Modules Gen3 1200V 80mohm SiC MOSFET Module, SOT-227

Lifecycle:

Bagong Produkto:

Bago mula sa manufacturer na ito.

Datasheet:

GCMX080C120S1-E1 Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa SemiQ GCMX080C120S1-E1

Availability

Stock:: Hindi Naka-stock

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 8 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱1,249.32	₱1,249.32
	₱1,065.46	₱10,654.60
	₱921.04	₱110,524.80

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	SemiQ
Kategorya ng Produkto:	Mga MOSFET Module
RoHS:
Teknolohiya:	SiC
Isitilo ng Mounting:	Screw Mount
Package / Case:	SOT-227-4
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	1.2 kV
Id - Continuous Drain Current:	28 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	100 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	4 V
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Pd - Power Dissipation:	118 W
Series:	GCMX
Packaging:	Tube
Brand:	SemiQ
Kumpigurasyon:	Single
Tagal ng Pagbagsak:	26 ns
Taas:	12.19 mm
Haba:	38.1 mm
Produkto:	Power Modules
Uri ng Produkto:	MOSFET Modules
Tagal ng Pagtaas:	4 ns
Dami ng Pack ng Pabrika:	30
Subcategory:	Discrete and Power Modules
Uri:	MOSFET Power Module
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	19 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	10 ns
Vf - Forward Voltage:	3.7 V
Lapad:	25.3 mm

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

GCMX080C120S1-E1 Datasheet (PDF)

Mga GEN3 1200V SiC MOSFET Power Module

SemiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Power Modules with an isolated backplate are based on third-generation SiC technology and tested at over 1400V. These come in two versions, the GCMX series and the GCMS series. Both of these highly rugged and easy-mount devices provide smaller die sizes, faster switching speeds, and reduced losses. The lineup includes an overall drain-source on-resistance [R_DS(on)] range from 8.4mΩ to 80mΩ with a switching time as low as 67ns. The COPACK MOSFETs (GCMS) with a Schottky barrier diode offer exceptional switching losses at a high junction temperature due to the low turn-on switching losses. The SemiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Power Modules feature a continuous operational and storage temperature of -55°C to +175°C. Target applications include solar inverters, energy storage systems (ESS), battery charging, and server power supplies.