+632 5304 7400

Bahagi ng TTI Family of Specialists Makipag-ugnayan sa Mouser +632 5304 7400 Feedback

May Stock

RoHS

Mag-log In
Bagong kostumer? Magsimula dito
Mag-log In
Bagong kostumer? Magsimula dito

Orders

Mfr.	Mfr. #:	Dami	Kabuuang Ext

Tingnan ang Cart

Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

GP3T016A120H

Name: SemiQ GP3T016A120H
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP3T016A120H
Price: 742.98 PHP
Availability: OutOfStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

148-GP3T016A120H

Mfr. #:

GP3T016A120H

Mfr.:

SemiQ

Paglalarawan:

SiC MOSFETs Gen3 1200V, 16mohm SiC MOSFET, TO-247-4L

Lifecycle:

Bagong Produkto:

Bago mula sa manufacturer na ito.

Datasheet:

GP3T016A120H Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa SemiQ GP3T016A120H

Availability

Stock:: Hindi Naka-stock

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 18 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱742.98	₱742.98
	₱555.06	₱5,550.60
	₱479.66	₱57,559.20
	₱454.14	₱231,611.40
	₱385.12	₱392,822.40

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	SemiQ
Kategorya ng Produkto:	Mga SiC MOSFET
RoHS:
Isitilo ng Mounting:	Through Hole
Package / Case:	TO-247-4L
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	1.2 kV
Id - Continuous Drain Current:	350 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	23 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 4.5 V, + 18 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	4 V
Qg - Gate Charge:	260 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Pd - Power Dissipation:	484 W
Channel Mode:	Enhancement
Brand:	SemiQ
Kumpigurasyon:	Single
Tagal ng Pagbagsak:	20 ns
Forward Transconductance - Min:	29 S
Packaging:	Tube
Produkto:	MOSFETs
Uri ng Produkto:	SiC MOSFETS
Tagal ng Pagtaas:	25 ns
Series:	GP3T
Dami ng Pack ng Pabrika:	30
Subcategory:	Transistors
Teknolohiya:	SiC
Uri ng Transistor:	1 N-Channel
Uri:	SiC MOSFET
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	65 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	21 ns

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

GP3T016A120H Datasheet (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Mga GEN3 1200V SiC MOSFET Discrete Device

SEMiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Discrete Devices are third-generation SiC MOSFETs and are 20% smaller than SEMiQ’s second-generation SiC MOSFETs. These devices have been developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.