Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

May Nakikitang Error?

IAUCN04S7N040HATMA1

Name: Infineon IAUCN04S7N040HATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IAUCN04S7N040HAT
Price: 111.94 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

726-IAUCN04S7N040HAT

Mfr. #:

IAUCN04S7N040HATMA1

Mfr.:

Infineon Technologies

Paglalarawan:

MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor

Lifecycle:

Bagong Produkto:

Bago mula sa manufacturer na ito.

Datasheet:

IAUCN04S7N040HATMA1 Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa Infineon Technologies IAUCN04S7N040HATMA1

May Stock: 768

Stock:: 768 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 26 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱111.94	₱111.94
	₱71.34	₱713.40
	₱49.59	₱4,959.00
	₱41.99	₱20,995.00
	₱35.09	₱35,090.00
	₱32.36	₱80,900.00
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 5000)
	₱29.52	₱147,600.00
	₱29.23	₱292,300.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	Infineon
Kategorya ng Produkto:	Mga MOSFET
RoHS:
Teknolohiya:	Si
Isitilo ng Mounting:	SMD/SMT
Package / Case:	PG-TDSON-8
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	2 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	40 V
Id - Continuous Drain Current:	82 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	4.01 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V
Qg - Gate Charge:	13 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Pd - Power Dissipation:	52 W
Channel Mode:	Enhancement
Pangalang pangkalakal:	OptiMOS
Packaging:	Reel
Packaging:	Cut Tape
Brand:	Infineon Technologies
Kumpigurasyon:	Dual
Tagal ng Pagbagsak:	12 ns
Uri ng Produkto:	MOSFETs
Tagal ng Pagtaas:	11 ns
Series:	OptiMOS 7
Dami ng Pack ng Pabrika:	5000
Subcategory:	Transistors
Uri ng Transistor:	2 N-Channel
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	9 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	5 ns
Mga Alias ng # ng Piyesa :	IAUCN04S7N040H SP006008355

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

IAUCN04S7N040HATMA1 Datasheet (PDF)

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 7 40V Automotive Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 40V Automotive Power MOSFETs are high-current low R_DS(on) MOSFETs with optimized switching behavior. These N-channel automotive MOSFETs offer high power density, low conduction losses, and high current density. The OptiMOS™ 7 MOSFETs come in a 3mm x 3mm advanced leadless package with Cu-Clip for low package Ron and minimum stray inductance. These MOSFETs are 100% avalanche tested and RoHS compliant. The OptiMOS™ 7 MOSFETs are ideal for applications such as power distribution, window-lift, power-seat, high-redundancy EPS, and body control modules.

OptiMOS™ 7 Automotive Power MOSFETs

Infineon Technologies is introducing its leading OptiMOS™ 7 Automotive Power MOSFETs technology with remarkably low on-state resistance, reduced switching losses, and enhanced ruggedness. OptiMOS 7 redefines the landscape of automotive power MOSFETs. The OptiMOS 7 MOSFET technology from Infineon establishes a new standard for automotive applications, allowing performance and efficiency while addressing the challenges of tomorrow's automotive systems.