Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

May Nakikitang Error?

IMT40R011M2HXTMA1

Name: Infineon IMT40R011M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMT40R011M2HXTMA
Price: 879.28 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

726-IMT40R011M2HXTMA

Mfr. #:

IMT40R011M2HXTMA1

Mfr.:

Infineon Technologies

Paglalarawan:

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

Lifecycle:

Bagong Produkto:

Bago mula sa manufacturer na ito.

Datasheet:

IMT40R011M2HXTMA1 Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa Infineon Technologies IMT40R011M2HXTMA1

May Stock: 996

Stock:: 996 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 20 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱879.28	₱879.28
	₱680.34	₱6,803.40
	₱629.88	₱62,988.00
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 2000)
	₱551.58	₱1,103,160.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	Infineon
Kategorya ng Produkto:	Mga SiC MOSFET
RoHS:
Isitilo ng Mounting:	SMD/SMT
Package / Case:	HSOF-8
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	400 V
Id - Continuous Drain Current:	144 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	16.3 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	4.5 V
Qg - Gate Charge:	85 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Pd - Power Dissipation:	429 W
Channel Mode:	Enhancement
Brand:	Infineon Technologies
Kumpigurasyon:	Single
Tagal ng Pagbagsak:	9.3 ns
Packaging:	Reel
Packaging:	Cut Tape
Produkto:	SiC MOSFETS
Uri ng Produkto:	SiC MOSFETS
Tagal ng Pagtaas:	18.3 ns
Dami ng Pack ng Pabrika:	2000
Subcategory:	Transistors
Teknolohiya:	SiC
Uri:	G2 MOSFET
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	29.8 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	15.8 ns
Mga Alias ng # ng Piyesa :	IMT40R011M2H SP005915790

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

IMT40R011M2HXTMA1 Datasheet (PDF)

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ 400V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 400V G2 Silicon Carbide MOSFETs are ideally suited for hard- and resonant-switching topologies. The Infineon 400V CoolSiC MOSFETs were specially developed for use in the AC/DC stage of AI server Power Supply Units (PSUs) and are also ideal for applications such as solar and energy storage systems. CoolSiC MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation.