MAPC-A3005-ASSB1

MACOM
937-MAPC-A3005-ASSB1
MAPC-A3005-ASSB1

Mfr.:

Paglalarawan:
RF Development Tools Application & Test Fixture, MAPC-A3005

Lifecycle:
Bagong Produkto:
Bago mula sa manufacturer na ito.

May Stock: 2

Stock:
2 Maaaring Ipadala Agad
Lead-Time ng Pabrika:
26 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.
Minimum: 1   Mga Multiple: 1
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:
LIBRENG Ipapadala ang Produktong Ito

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
₱94,117.18 ₱94,117.18

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
MACOM
Kategorya ng Produkto: Mga RF na Tool sa Pag-develop
RoHS:  
Add-On Boards
RF Transistor
MAPC-A3005-AS
DC to 8 GHz
Brand: MACOM
Uri ng Produkto: RF Development Tools
Dami ng Pack ng Pabrika: 1
Subcategory: Development Tools
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

USHTS:
8542330001
ECCN:
EAR99

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.