Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

May Nakikitang Error?

IRFB4620PBFXKMA1

Name: Infineon IRFB4620PBFXKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IRFB4620PBFXKMA1
Price: 54.06 PHP
Availability: OutOfStock

Mouser #:

726-IRFB4620PBFXKMA1

Mfr. #:

IRFB4620PBFXKMA1

Mfr.:

Infineon Technologies

Paglalarawan:

MOSFETs IR FET >60-400V

Datasheet:

IRFB4620PBFXKMA1 Datasheet (PDF)

ECAD Model:

I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa Infineon Technologies IRFB4620PBFXKMA1

Availability

Stock:: Hindi Naka-stock

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 19 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1000 Mga Multiple: 1000

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

LIBRENG Ipapadala ang Produktong Ito

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱54.06	₱54,060.00
	₱51.39	₱102,780.00
	₱49.65	₱248,250.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	Infineon
Kategorya ng Produkto:	Mga MOSFET
RoHS:
Teknolohiya:	Si
Isitilo ng Mounting:	Through Hole
Package / Case:	TO-220AB-3
Polarity ng Transistor:	N-Channel
Dami ng Channel:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	200 V
Id - Continuous Drain Current:	25 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	72.5 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	5 V
Qg - Gate Charge:	25 nC
Minimum na Operating Temperature:	- 55 C
Maximum na Operating Temperature:	+ 175 C
Pd - Power Dissipation:	144 W
Channel Mode:	Enhancement
Packaging:	Tube
Brand:	Infineon Technologies
Kumpigurasyon:	Single
Tagal ng Pagbagsak:	14.8 ns
Forward Transconductance - Min:	37
Uri ng Produkto:	MOSFETs
Tagal ng Pagtaas:	22.4 ns
Dami ng Pack ng Pabrika:	1000
Subcategory:	Transistors
Uri ng Transistor:	1 N-Channel
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off:	25.4 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on:	13.4 ns
Mga Alias ng # ng Piyesa :	IRFB4620PBFXKMA1 SP005745529

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

I-filter ang Dokumento:

Datasheet

IRFB4620PBFXKMA1 Datasheet (PDF)

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs offer a broad range of MOSFETs in various packages, current and R_DS(on) ratings. These 200V to 250V HEXFET Power MOSFETs utilize the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.