AS4C256M32MD4V-062BAN

Alliance Memory
913-AS4C256M32MD4V
AS4C256M32MD4V-062BAN

Mfr.:

Paglalarawan:
DRAM LPDDR4X, 8G, 256M x 32, 0.6V, 200ball TFBGA, 1600MHZ, ECC, AUTO TEMP

ECAD Model:
I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

May Stock: 589

Stock:
589 Maaaring Ipadala Agad
Lead-Time ng Pabrika:
30 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.
Ang mga dami na higit pa sa 589 ay sasailalim sa minimum na mga kinakailangan sa pag-order.
Minimum: 1   Mga Multiple: 1
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:
LIBRENG Ipapadala ang Produktong Ito

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
₱4,126.12 ₱4,126.12
₱3,809.44 ₱38,094.40
₱3,684.74 ₱92,118.50
₱3,592.52 ₱179,626.00
₱3,502.04 ₱350,204.00
272 Quote

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
Alliance Memory
Kategorya ng Produkto: DRAM
RoHS:  
SDRAM - LPDDR4X
8 Gbit
32 bit
1.6 GHz
FBGA-200
256 M x 32
3.5 ns
1.06 V
1.95 V
- 40 C
+ 105 C
Tray
Brand: Alliance Memory
Maselan sa Moisture: Yes
Isitilo ng Mounting: SMD/SMT
Uri ng Produkto: DRAM
Dami ng Pack ng Pabrika: 136
Subcategory: Memory & Data Storage
Supply Current - Max: 158 mA
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

Kailangang i-enable ang JavaScript para gumana ito.

CNHTS:
8542329010
USHTS:
8542320036
ECCN:
EAR99

2GB/4GB/8GB/16GB/32GB LPDDR4 SDRAM

Alliance Memory 2GB/4GB/8GB/16GB/32GB LPDDR4 SDRAM is organized as 1 or 2 channels per device, and the individual channel is 8-banks and 16-bits. This product uses a double-data-rate architecture to achieve high-speed operation. The double data rate architecture is a 16n prefetch architecture with an interface. It's designed to transfer two data words per clock cycle at the I/O pins. These devices offer fully synchronous operations referenced to the rising and falling edges of the clock. The data paths are internally pipelined and 16n bits prefetched to achieve very high bandwidth.