G2R1000MT33J-TR

GeneSiC Semiconductor
905-G2R1000MT33J-TR
G2R1000MT33J-TR

Mfr.:

Paglalarawan:
SiC MOSFETs 3300V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET

ECAD Model:
I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.
Higit Pang Impormasyon
Alamin pa ang tungkol sa GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J-TR

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
Navitas Semiconductor
Kategorya ng Produkto: Mga SiC MOSFET
RoHS:  
Brand: GeneSiC Semiconductor
Packaging: Reel
Packaging: Cut Tape
Uri ng Produkto: SiC MOSFETS
Series: G2R
Dami ng Pack ng Pabrika: 800
Subcategory: Transistors
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

PCN

Mga Kodigo sa Pagsunod
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Mga Klasipikasyon ng Pinagmulan
Bansang Pinagmulan:
Philippines
Bansang Pinagmulan ng Pag-assemble:
Hindi available
Bansa ng Diffusion:
Hindi available
Ang bansa ay maaaring magbago sa oras ng pagpapadala.

3300V SiC MOSFETs

GeneSiC Semiconductor 3300V SiC MOSFETs offer fast and efficient switching with reduced ringing in an optimized package with a separate driver source pin. The 3300V SiC MOSFETs are designed to be compatible with commercial gate drivers and provide ease of paralleling without a thermal runaway. GeneSiC Semiconductor 3300V SiC MOSFETs deliver low conduction losses at all temperatures, allowing superior robustness and system reliability.

3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Navitas Semiconductor 3300V and 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are based on the latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology and feature flexible packaging formats, including power module, discrete, and known good die (KGD). For high-power density and high-reliability systems, the MOSFETs are integrated into an advanced SiCPAK™ G+ power module package, in half-bridge and full-bridge circuit configurations. The proprietary TAP SiC MOSFET technology offers improved performance, reliability, and avalanche robustness. The TAP architecture performs a multi-step e-field management profile to significantly reduce voltage stress and improve voltage blocking capabilities compared to trench and traditional-planar SiC MOSFETs. Navitas 3300V and 2300V SiC MOSFETs are ideal for AI data centers, grid and energy infrastructure, and industrial electrification, including energy storage, renewable, and megawatt-scale fast-charging applications.

May Stock: 220

Stock:
220
Maaaring Ipadala Agad
Inoorder:
800
Inaasahan 12/28/2026
Lead-Time ng Pabrika:
26
(na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.
Matagal na lead time na iniulat sa produktong ito.
Minimum: 1   Mga Multiple: 1
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
₱1,668.72 ₱1,668.72
₱1,212.28 ₱12,122.80
₱1,169.94 ₱29,248.50
₱1,150.93 ₱115,093.00
₱1,105.53 ₱552,765.00
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 800)
₱976.69 ₱781,352.00

May di-inaasahang error na nangyari.


May tanong ka? Bisitahin ang Help Center.
Para sa mga tanong sa isang partikular na order, mag-log in sa account mo.

Kung may maranasan kang iba pang problema, kontakin kami sa 800-346-6873 o mag-email sa help@mouser.com.