Tila naka-disable ang JavaScript sa loob ng iyong browser. Hindi gagana ang ilang function sa page na ito maliban kung mag-log in ka.

Bumalik sa Mga Resulta ng Paghahanap

May Nakikitang Error?

QPD1028LEVB

Name: Qorvo QPD1028LEVB
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1028LEVB
Price: 50750 PHP
Availability: InStock

Reference lang ang mga larawan
Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto

Mouser #:

772-QPD1028LEVB

Mfr. #:

QPD1028LEVB

Mfr.:

Qorvo

Paglalarawan:

RF Development Tools 750W, 65V, Pre-matched, 1.2-1.4GHz, Flan

Higit Pang Impormasyon

Alamin pa ang tungkol sa Qorvo QPD1028LEVB

May Stock: 3

Stock:: 3 Maaaring Ipadala Agad

May nangyaring di-inaasahang error. Subukan ulit mamaya.
Lead-Time ng Pabrika:: 16 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.

Ipasok ang Dami:

Minimum: 1 Mga Multiple: 1

Presyo ng Unit:

₱-.--

Ext. Presyo:

₱-.--

Est. Taripa:

LIBRENG Ipapadala ang Produktong Ito

Presyo (PHP)

Dami	Presyo ng Unit	Ext. Presyo
	₱50,750.00	₱50,750.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Katangian ng Produkto	Value ng Attribute	Pumili ng Attribute
Manufacturer:	Qorvo
Kategorya ng Produkto:	Mga RF na Tool sa Pag-develop
RoHS:
Produkto:	Evaluation Boards
Uri:	RF Transistor
Ang Tool Ay Para Sa Pagsusuri Ng:	QPD1028L
Frequency:	1.2 GHz to 1.4 GHz
Brand:	Qorvo
Packaging:	Bag
Uri ng Produkto:	RF Development Tools
Series:	QPD1028L
Dami ng Pack ng Pabrika:	1
Subcategory:	Development Tools
Mga Alias ng # ng Piyesa :	QPD1028L

Nahanap na mga produkto:

Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang

Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.

Mga Piniling Attribute: 0

USHTS:: 9030820000
ECCN:: EAR99

QPD1028 & QPD1028L Evaluation Boards

Qorvo QPD1028 and QPD1028L Evaluation Boards are demonstration and development platforms for the QPD1028 and QPD1028L 750W GaN on SiC Transistors. The QPD1028 and QPD1028L are discrete Gallium Nitride on Silicon Carbide HEMT (High-Electron-Mobility Transistors) operating from 1.2GHz to 1.4GHz. These devices provide 59dBm of saturated output power with 18dB of large-signal gain and 70% of drain efficiency. The QPD1028 and QPD1028L Transistors are internally pre-matched for optimal performance can support both continuous wave and pulsed operations.