GRF0030

Guerrilla RF
459-GRF0030
GRF0030

Mfr.:

Paglalarawan:
RF Amplifier Unmatched Discrete GaN-on-SiC HEMT 50W PSAT at 50V or 25W PSAT at 28V

Lifecycle:
Bagong Produkto:
Bago mula sa manufacturer na ito.
ECAD Model:
I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.

May Stock: 35

Stock:
35 Maaaring Ipadala Agad
Lead-Time ng Pabrika:
26 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.
Minimum: 1   Mga Multiple: 1
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:
LIBRENG Ipapadala ang Produktong Ito

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
₱4,925.36 ₱4,925.36
₱4,229.94 ₱42,299.40
Buo Reel (Mag-order sa multiple ng 50)
₱3,782.76 ₱189,138.00
₱3,677.20 ₱367,720.00
250 Quote

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
Guerrilla RF
Kategorya ng Produkto: RF Amplifier
Reel
Cut Tape
Brand: Guerrilla RF
Uri ng Produkto: RF Amplifier
Dami ng Pack ng Pabrika: 50
Subcategory: Wireless & RF Integrated Circuits
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

USHTS:
8542330001
TARIC:
8542330000

GRFx GaN HEMT Power Transistors

Guerrilla RF GRFx GaN HEMT Power Transistors are unmatched discrete GaN-on-SiC HEMT power transistors designed for high-performance RF applications. These transistors operate across a wide frequency range of DC to 6GHz, 7GHz, and 8GHz with an operating drain voltage of 28V and 50V. The GRFx transistors support both linear and pulsed modes and are 100% DC, and RF production tested. These transistors are housed in a compact, industry-standard 3mm x 3mm QFN-16 surface mount package, are lead-free, and RoHS compliant. Typical applications include cellular infrastructure, radar systems, communications, and test instrumentation.