Pesos Incoterms:FCA (Punto ng Shipping) Kinokolekta ang mga bayarin sa duty, customs at buwis sa oras ng paghahatid. Libreng shipping sa karamihan ng mga order na higit sa ₱2,000 (PHP)
Mga US Dollar Incoterms:FCA (Punto ng Shipping) Kinokolekta ang mga bayarin sa duty, customs at buwis sa oras ng paghahatid. Libreng shipping sa karamihan ng mga order na higit sa $50 (USD)
Reference lang ang mga larawan Tingnan ang Mga Ispesipikasyon ng Produkto
Hindi kayang magkaroon ng link sa oras na ito. Pakisubukan muli. Pakisubukan muli.
PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors
STMicroelectronics PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.