GTVA High Power RF GaN on SiC HEMT

Ang Wolfspeed / Cree GTVA High Power RF GaN on SiC HEMT ay mga 50V High Electron Mobility Transistor (HEMT) na batay sa Gallium-Nitride sa Silicon Carbide technology. Nag-aalok ang GaN sa mga SiC device ng high power density na sinamahan ng mataas na breakdown voltage, na nagpapagana sa tunay na mahusay na mga power amplifier. Nagtatampok ang GTVA High Power RF GaN sa SiC HEMT ng input matching, mataas na kahusayan, at  mga paketeng thermally-enhanced. Ang mga Pulsed/CW (Continuous Wave) device ay may lapad ng pulso na 128µs at isang duty cycle na 10%.

Mga Resulta: 2
Pumili Larawan # ng Piyesa Mfr. Paglalarawan Datasheet Availability Pagpepresyo (PHP) I-filter ang mga resulta sa talahanayan ayon sa unit price batay sa iyong dami. Dami RoHS ECAD Model Isitilo ng Mounting Package / Case Polarity ng Transistor Vds - Drain-Source Breakdown Voltage Id - Continuous Drain Current Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage Maximum na Operating Frequency Minimum na Operating Frequency Teknolohiya

MACOM GaN FETs GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W 6May Stock
Cut Tape
₱70,495.44
Reel
₱70,495.44
Min.: 1
Mult.: 1
: 50
Screw Mount H-36248-2 N-Channel 150 V 10 A - 3 V 1.4 GHz 1.2 GHz GaN

MACOM GaN FETs GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W Lead-Time para sa Hindi Naka-stock 26 (na) Linggo
Reel
₱67,745.12
Min.: 50
Mult.: 50
: 50
Screw Mount H-36248-2 N-Channel 150 V 10 A - 3 V 1.215 GHz 960 MHz GaN-on-SiC