GNP2x 650V Enhancement Mode GaN HEMTs
ROHM Semiconductor GNP2x 650V Enhancement Mode GaN High-Electron-Mobility Transistors (HEMTs) are designed for high-performance power conversion applications. These modules feature a high breakdown voltage and a low gate charge. The GNP2x series offers high efficiency, high power density, and fast switching capabilities. ROHM GaN HEMTs feature an 8.5V transient gate-to-source voltage and operate within the -55°C to +150°C temperature range. Typical applications include high-switching-frequency and high-density converters.
Walang Nahanap na Resulta.
Subukang baguhin ang termino ng paghahanap mo sa ibaba o bumisita sa aming Help Center.
Subukang baguhin ang termino ng paghahanap mo sa ibaba o bumisita sa aming Help Center.
Mga Mungkahi sa Paghahanap
- Tingnan ang spelling ng numero ng piyesa o mga keyword
- Gumamit ng mas kaunti o iba't ibang keyword
- Maghanap ng 1 numero ng piyesa sa bawat pagkakataon
- Gumamit ng 1 filter sa bawat pagkakataon