NTH4L025N065SC1

onsemi
863-NTH4L025N065SC1
NTH4L025N065SC1

Mfr.:

Paglalarawan:
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V

Datasheet:
ECAD Model:
I-download ang libreng Library Loader para i-convert ang file na ito para sa iyong ECAD Tool. Matuto nang higit pa tungkol sa ECAD Model.
Higit Pang Impormasyon
Alamin pa ang tungkol sa onsemi NTH4L025N065SC1

Katangian ng Produkto Value ng Attribute Pumili ng Attribute
onsemi
Kategorya ng Produkto: Mga SiC MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
99 A
28.5 mOhms
- 8 V, + 22 V
4.3 V
164 nC
- 55 C
+ 175 C
348 W
Enhancement
EliteSiC
Brand: onsemi
Kumpigurasyon: Single
Tagal ng Pagbagsak: 8 ns
Forward Transconductance - Min: 27 S
Packaging: Tube
Uri ng Produkto: SiC MOSFETS
Tagal ng Pagtaas: 19 ns
Series: NTH4L025N065SC1
Dami ng Pack ng Pabrika: 30
Subcategory: Transistors
Teknolohiya: SiC
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-off: 32 ns
Karaniwang Tagal ng Delay ng Pag-on: 17 ns
Nahanap na mga produkto:
Para maipakita ang mga katulad na produkto, pumili ng kahit na isang checkbox man lang
Pumili ng kahit isang checkbox sa itaas para magpakita ng katulad na produkto sa kategoryang ito.
Mga Piniling Attribute: 0

Datasheet

PCN

Mga Kodigo sa Pagsunod
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Mga Klasipikasyon ng Pinagmulan
Bansang Pinagmulan:
China
Bansang Pinagmulan ng Pag-assemble:
China
Bansa ng Diffusion:
Korea, Republic of
Ang bansa ay maaaring magbago sa oras ng pagpapadala.

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low RDS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

NTH4L025N065SC1 19mohm Silicon Carbide MOSFET

onsemi NTH4L025N065SC1 19mohm Silicon Carbide MOSFET is housed in a TO-247-4L package and designed to be fast and rugged. The onsemi NTH4L025N065SC1 devices offer a 10x higher dielectric breakdown field strength and 2x higher electron saturation velocity. The MOSFETs also offer a 3x higher energy band gap and 3x higher thermal conductivity. All onsemi SiC MOSFETs include AEC-Q101 qualified and PPAP-capable options specifically engineered and qualified for automotive and industrial applications.

650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi 650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon (Si). These 650V SiC MOSFETs have low ON resistance and a compact chip size to ensure low capacitance and gate charge. Benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

May Stock: 449

Stock:
449 Maaaring Ipadala Agad
Lead-Time ng Pabrika:
44 (na) Linggo Tinatayang oras ng paggawa sa pabrika para sa mga bilang na mas marami kaysa ipinakita.
Minimum: 1   Mga Multiple: 1
Presyo ng Unit:
₱-.--
Ext. Presyo:
₱-.--
Est. Taripa:

Presyo (PHP)

Dami Presyo ng Unit
Ext. Presyo
₱1,285.28 ₱1,285.28
₱964.42 ₱9,644.20
₱841.11 ₱100,933.20

May di-inaasahang error na nangyari.


May tanong ka? Bisitahin ang Help Center.
Para sa mga tanong sa isang partikular na order, mag-log in sa account mo.

Kung may maranasan kang iba pang problema, kontakin kami sa 800-346-6873 o mag-email sa help@mouser.com.